Mémoire FRAM, FM25C160B-G, 16Kbit, 2K x 8 bits, SPI, SOIC, 8 broches, 5,5 V
- Code commande RS:
- 125-4220
- Référence fabricant:
- FM25C160B-G
- Marque:
- Infineon
Ce produit n’est plus distribué
Proposition de remplacement
Ce produit n'est pas disponible actuellement. Voici notre produit de remplacement:
- Code commande RS:
- 125-4220
- Référence fabricant:
- FM25C160B-G
- Marque:
- Infineon
FRAM, Cypress Semiconductor
La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) est éco-énergétique et offre la plus grande fiabilité en termes de RAM non volatile à la fois pour les interfaces série et parallèle. Les pièces avec le suffixe A sont conçues pour les applications automobiles et sont certifiées AEC-Q100.
Mémoire vive ferroélectrique non volatile
Vitesse d'écriturerapide
Enduranceélevée
Faible consommation électrique
Vitesse d'écriturerapide
Enduranceélevée
Faible consommation électrique
La mémoire vive ferromagnétique (F-RAM) de 16 kbits est organisée de façon logique en 2 K x 8
Lecture/écriture haute endurance 100 billions (1014)
Conservation des données de 151 ans
NODELAY ® écrit
Processus ferroélectrique Advanced haute
Interface de périphérique série (SPI) très rapide
Fréquence jusqu'à 20 MHz
Remplacement direct du matériel pour la mémoire Flash série et l'EEPROM
Prend en charge le mode SPI 0 (0, 0) et le mode 3 (1, 1)
Schéma de protection en écriture sophistiqué
Protection matérielle à l'aide de la broche Write Protect (WP)
Protection logicielle à l'aide de l'instruction Write Disable
Protection de bloc logiciel pour 1/4, 1/2 ou toute la matrice
Faible consommation électrique
Courant actif de 250 μA à 1 MHz
Courant de veille de 4 μA (typ)
Fonctionnement en tension : VDD = 4,5 à 5,5 V.
Température industrielle : -40 à +85 °C.
Boîtier SOIC (circuit intégré à petit contour) 8 broches
Lecture/écriture haute endurance 100 billions (1014)
Conservation des données de 151 ans
NODELAY ® écrit
Processus ferroélectrique Advanced haute
Interface de périphérique série (SPI) très rapide
Fréquence jusqu'à 20 MHz
Remplacement direct du matériel pour la mémoire Flash série et l'EEPROM
Prend en charge le mode SPI 0 (0, 0) et le mode 3 (1, 1)
Schéma de protection en écriture sophistiqué
Protection matérielle à l'aide de la broche Write Protect (WP)
Protection logicielle à l'aide de l'instruction Write Disable
Protection de bloc logiciel pour 1/4, 1/2 ou toute la matrice
Faible consommation électrique
Courant actif de 250 μA à 1 MHz
Courant de veille de 4 μA (typ)
Fonctionnement en tension : VDD = 4,5 à 5,5 V.
Température industrielle : -40 à +85 °C.
Boîtier SOIC (circuit intégré à petit contour) 8 broches
FRAM (RAM ferroélectrique)
La FRAM (mémoire vive ferroélectrique) est une mémoire non volatile qui utilise un film ferroélectrique comme condensateur pour stocker les données. Les périphériques ROM et RAM, F-RAM présentent les caractéristiques suivantes : un accès haut débit, une grande endurance en mode d'écriture, une consommation réduite, la non-volatilité et une excellente résistance aux violations. Il s'agit de la mémoire idéale pour les cartes à puce qui requièrent un niveau de sécurité élevé et une consommation réduite, tout comme les téléphones portables et d'autres périphériques.
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Taille mémoire | 16Kbit |
| Configuration | 2K x 8 bits |
| Type d'interface | SPI |
| Type de montage | CMS |
| Type de boîtier | SOIC |
| Nombre de broches | 8 |
| Dimensions | 4.97 x 3.98 x 1.48mm |
| Tension d'alimentation fonctionnement maximum | 5,5 V |
| Température d'utilisation maximum | +85 °C |
| Température de fonctionnement minimum | -40 °C |
| Nombre de mots | 2K |
| Nombre de bits par mot | 8bit |
| Tension d'alimentation de fonctionnement minimum | 4,5 V |
- Code commande RS:
- 125-4220
- Référence fabricant:
- FM25C160B-G
- Marque:
- Infineon
FRAM, Cypress Semiconductor
La mémoire vive ferroélectrique (F-RAM) est éco-énergétique et offre la plus grande fiabilité en termes de RAM non volatile à la fois pour les interfaces série et parallèle. Les pièces avec le suffixe A sont conçues pour les applications automobiles et sont certifiées AEC-Q100.
Mémoire vive ferroélectrique non volatile
Vitesse d'écriturerapide
Enduranceélevée
Faible consommation électrique
Vitesse d'écriturerapide
Enduranceélevée
Faible consommation électrique
La mémoire vive ferromagnétique (F-RAM) de 16 kbits est organisée de façon logique en 2 K x 8
Lecture/écriture haute endurance 100 billions (1014)
Conservation des données de 151 ans
NODELAY ® écrit
Processus ferroélectrique Advanced haute
Interface de périphérique série (SPI) très rapide
Fréquence jusqu'à 20 MHz
Remplacement direct du matériel pour la mémoire Flash série et l'EEPROM
Prend en charge le mode SPI 0 (0, 0) et le mode 3 (1, 1)
Schéma de protection en écriture sophistiqué
Protection matérielle à l'aide de la broche Write Protect (WP)
Protection logicielle à l'aide de l'instruction Write Disable
Protection de bloc logiciel pour 1/4, 1/2 ou toute la matrice
Faible consommation électrique
Courant actif de 250 μA à 1 MHz
Courant de veille de 4 μA (typ)
Fonctionnement en tension : VDD = 4,5 à 5,5 V.
Température industrielle : -40 à +85 °C.
Boîtier SOIC (circuit intégré à petit contour) 8 broches
Lecture/écriture haute endurance 100 billions (1014)
Conservation des données de 151 ans
NODELAY ® écrit
Processus ferroélectrique Advanced haute
Interface de périphérique série (SPI) très rapide
Fréquence jusqu'à 20 MHz
Remplacement direct du matériel pour la mémoire Flash série et l'EEPROM
Prend en charge le mode SPI 0 (0, 0) et le mode 3 (1, 1)
Schéma de protection en écriture sophistiqué
Protection matérielle à l'aide de la broche Write Protect (WP)
Protection logicielle à l'aide de l'instruction Write Disable
Protection de bloc logiciel pour 1/4, 1/2 ou toute la matrice
Faible consommation électrique
Courant actif de 250 μA à 1 MHz
Courant de veille de 4 μA (typ)
Fonctionnement en tension : VDD = 4,5 à 5,5 V.
Température industrielle : -40 à +85 °C.
Boîtier SOIC (circuit intégré à petit contour) 8 broches
FRAM (RAM ferroélectrique)
La FRAM (mémoire vive ferroélectrique) est une mémoire non volatile qui utilise un film ferroélectrique comme condensateur pour stocker les données. Les périphériques ROM et RAM, F-RAM présentent les caractéristiques suivantes : un accès haut débit, une grande endurance en mode d'écriture, une consommation réduite, la non-volatilité et une excellente résistance aux violations. Il s'agit de la mémoire idéale pour les cartes à puce qui requièrent un niveau de sécurité élevé et une consommation réduite, tout comme les téléphones portables et d'autres périphériques.
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Taille mémoire | 16Kbit |
| Configuration | 2K x 8 bits |
| Type d'interface | SPI |
| Type de montage | CMS |
| Type de boîtier | SOIC |
| Nombre de broches | 8 |
| Dimensions | 4.97 x 3.98 x 1.48mm |
| Tension d'alimentation fonctionnement maximum | 5,5 V |
| Température d'utilisation maximum | +85 °C |
| Température de fonctionnement minimum | -40 °C |
| Nombre de mots | 2K |
| Nombre de bits par mot | 8bit |
| Tension d'alimentation de fonctionnement minimum | 4,5 V |