MOSFET onsemi canal N, SOT-23 680 mA 25 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 354-4890
- Référence fabricant:
- FDV303N
- Marque:
- Fairchild Semiconductor
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Proposition de remplacement
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- Code commande RS:
- 354-4890
- Référence fabricant:
- FDV303N
- Marque:
- Fairchild Semiconductor
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistor MOSFET à canal N, mode amélioré, Fairchild Semiconductor
Les transistors à effet de champ (FET) en mode amélioré sont produits à l'aide de la technologie DMOS propriétaire à haute densité cellulaire de Fairchild. Ce processus haute densité a été conçu pour minimiser la résistance à l'état passant, pour des performances solides et fiables et une commutation rapide.
Transistors MOSFET, ON Semi
On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 680 mA |
| Tension Drain Source maximum | 25 V |
| Type de boîtier | SOT-23 |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 450 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil minimale de la grille | 0.65V |
| Dissipation de puissance maximum | 350 mW |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | +8 V |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Largeur | 1.3mm |
| Charge de Grille type @ Vgs | 1,64 nC @ 4,5 V |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Longueur | 2.92mm |
| Matériau du transistor | Si |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
| Hauteur | 0.93mm |