- Code commande RS:
- 544-9359
- Référence fabricant:
- BS170G
- Marque:
- ON Semiconductor
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Proposition de remplacement
Ce produit n'est pas disponible actuellement. Voici notre produit de remplacement:
- Code commande RS:
- 544-9359
- Référence fabricant:
- BS170G
- Marque:
- ON Semiconductor
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- FR
Détail produit
Transistors MOSFET canal N, discontinus
MOSFET - Canal N
Le transistor MOSFET (transistor à effet de champ à structure métal-oxyde-semi-conducteur) est un transistor utilisé pour amplifier ou commuter des signaux électroniques.
Une tension sur l'électrode grille isolée par un oxyde peut créer un canal de conduction entre les deux autres contacts appelés Source et Drain. Le canal peut être de type N ou de type P.
Une tension sur l'électrode grille isolée par un oxyde peut créer un canal de conduction entre les deux autres contacts appelés Source et Drain. Le canal peut être de type N ou de type P.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | N |
Courant continu de Drain maximum | 500 mA |
Tension Drain Source maximum | 60 V |
Type de boîtier | TO-92 |
Type de montage | Traversant |
Nombre de broches | 3 |
Résistance Drain Source maximum | 5 Ω |
Mode de canal | Enrichissement |
Tension de seuil maximale de la grille | 3V |
Dissipation de puissance maximum | 350 mW |
Tension Grille Source maximum | -20 V, +20 V |
Température d'utilisation maximum | +150 °C |
Nombre d'éléments par circuit | 1 |
Longueur | 5.2mm |
Largeur | 4.19mm |
Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
Hauteur | 5.33mm |