MOSFET onsemi canal N, SOT-23 200 mA 50 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 545-2529P
- Référence fabricant:
- BSS138LT1G
- Marque:
- onsemi
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- 545-2529P
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- BSS138LT1G
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- onsemi
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistor MOSFET de puissance à canal N, 50 V, ON Semiconductor
on Semiconductor BSS138L est un transistor MOSFET de puissance et son type de boîtier est SOT-23. Les applications typiques sont les convertisseurs c.c.-c.c., la gestion de l'alimentation dans les produits portables et alimentés par batterie tels que les ordinateurs, les imprimantes, les cartes PCMCIA, les téléphones cellulaires et sans fil.
Faible tension de seuil
Le boîtier de montage en surface SOT-23 miniature permet d'économiser de l'espace sur la carte
Le boîtier de montage en surface SOT-23 miniature permet d'économiser de l'espace sur la carte
Transistors MOSFET, ON Semiconductor
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 200 mA |
| Tension Drain Source maximum | 50 V |
| Type de boîtier | SOT-23 |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 3,5 Ω |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil maximale de la grille | 1.5V |
| Dissipation de puissance maximum | 225 mW |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -20 V, +20 V |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Matériau du transistor | Si |
| Longueur | 2.9mm |
| Largeur | 1.3mm |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
| Hauteur | 0.94mm |