MOSFET Infineon canal P, SOT-23 170 mA 60 V, 3 broches

Le transistor MOSFET canal P de petit signal Infineon SIPMOS^® présente plusieurs caractéristiques qui peuvent inclure le mode d'enrichissement, le courant continu débité pouvant être aussi faible que -80 A, ainsi qu'une large plage de températures d'utilisation. Le transistor de puissance SIPMOS peut être utilisé dans une grande variété d'applications, notamment les télécommunications, eMobility, les ordinateurs PC portables, les circuits c.c./c.c., ainsi que l'industrie automobile.

· Conforme AEC Q101 (veuillez vous référer à la fiche technique)
· Placage sans plomb, conforme à la directive RoHS

Les familles Infineon BSS84P OptiMOS incluent des MOSFET de puissance à canal P. Ces produits répondent de manière constante aux exigences de qualité et de performances les plus élevées dans les spécifications clés pour la conception de système d'alimentation, telles que la résistance à l'état passant et la figure des caractéristiques de mérite. Le type de boîtier du MOSFET est le PG-SOT23-3.

Mode d'enrichissement
niveaux logiques
Résistance aux avalanches
Commutation rapide

Transistors MOSFET, Infineon

Infineon propose une gamme complète et vaste de circuits MOSFET d'Infineon comprenant les familles CoolMOS, OptiMOS et StrongIRFET. Ils offrent les meilleures performances pour vous proposer plus d'efficacité, de rentabilité et une meilleure densité de puissance. Les conceptions qui exigent une qualité élevée et une meilleure protection bénéficient des transistors MOSFET conformes aux normes AEC-Q101 de l'industrie automobile.