Transistor MOSFET Vishay canal N, SOIC 7,3 A 30 V, 8 broches
- Code commande RS:
- 710-3355
- Référence fabricant:
- SI4812BDY-T1-E3
- Marque:
- Vishay
Ce produit n’est plus distribué
- Code commande RS:
- 710-3355
- Référence fabricant:
- SI4812BDY-T1-E3
- Marque:
- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Transistor MOSFET canal N, de 30 à 50 V, Vishay Semiconductor
Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 7,3 A |
| Tension Drain Source maximum | 30 V |
| Type de boîtier | SOIC |
| Type de montage | CMS |
| Nombre de broches | 8 |
| Résistance Drain Source maximum | 16 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil minimale de la grille | 1V |
| Dissipation de puissance maximum | 1,4 W |
| Tension Grille Source maximum | -20 V, +20 V |
| Longueur | 5mm |
| Charge de Grille type @ Vgs | 8,5 nC @ 5 V |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Largeur | 4mm |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
| Hauteur | 1.55mm |