MOSFET onsemi canal N, TO-92 200 mA 60 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 739-0224P
- Référence fabricant:
- 2N7000TA
- Marque:
- onsemi
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| 100 - 990 | 0,16 € |
| 1000 - 2490 | 0,148 € |
| 2500 - 9990 | 0,132 € |
| 10000 + | 0,128 € |
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- 739-0224P
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- 2N7000TA
- Marque:
- onsemi
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistor de puissance MOSFET avancé, Fairchild Semiconductor
Technologie résistant aux avalanches
Technologie oxyde de grille robuste
Capacité d'entrée inférieure
Charge de grille améliorée
Technologie oxyde de grille robuste
Capacité d'entrée inférieure
Charge de grille améliorée
Transistors MOSFET, ON Semi
On Semi offre une gamme substantielle de dispositifs MOSFET qui inclut>< les types haute tension ( 250 V) et basse tension ( 250 V). La technologie de pointe au silicium offre une taille de composant plus réduite. Elle est intégrée à plusieurs normes de l'industrie et dans des formats thermiquement améliorés.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
Les transistors MOSFET semi-conducteurs fournissent une fiabilité de conception supérieure, des pointes de tension et des dépassements de tension réduits, pour réduire la capacité de jonction et la charge de récupération inverse, pour éliminer les composants externes supplémentaires pour maintenir les systèmes en service plus longtemps.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 200 mA |
| Tension Drain Source maximum | 60 V |
| Type de boîtier | TO-92 |
| Type de montage | Traversant |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 5 Ω |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil minimale de la grille | 0.3V |
| Dissipation de puissance maximum | 400 mW |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -30 V, +30 V |
| Matériau du transistor | Si |
| Largeur | 4.19mm |
| Longueur | 5.2mm |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
| Hauteur | 5.33mm |