MOSFET Nexperia canal N, SOT-669 34 A 80 V, 4 broches

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Documentation technique

Transistors MOSFET, NXP Semiconductors

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	34 A
Tension Drain Source maximum	80 V
Type de boîtier	SOT-669
Type de montage	CMS
Nombre de broches	4
Résistance Drain Source maximum	42 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	4V
Tension de seuil minimale de la grille	2V
Dissipation de puissance maximum	74 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Matériau du transistor	Si
Température d'utilisation maximum	+175 °C
Charge de Grille type @ Vgs	20 nC @ 10 V
Longueur	5mm
Largeur	4.1mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Hauteur	1.1mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C