MOSFET Toshiba canal N, TO-220SIS 11,1 A 650 V, 3 broches

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Documentation technique

Transistors MOSFET, Toshiba

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	11,1 A
Tension Drain Source maximum	650 V
Type de boîtier	TO-220SIS
Type de montage	Traversant
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	390 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	3.5V
Dissipation de puissance maximum	35 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-30 V, +30 V
Largeur	4.5mm
Longueur	10mm
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Nombre d'éléments par circuit	1
Charge de Grille type @ Vgs	25 nC @ 10 V
Matériau du transistor	Si
Série	TK
Hauteur	15mm