MOSFET ROHM canal N/P, TSMT 30 V, 8 broches

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Documentation technique

Le transistor MOSFET de puissance moyenne QH8MA3 est adapté à l'alimentation de commutation.

Faible résistance à l'état passant.
Boîtier de montage en surface compact (TSMT8).
Placage sans plomb.
Sans halogène

Attribut	Valeur
Type de canal	N, P
Courant continu de Drain maximum	5,5 A (canal P), 7 A (canal N)
Tension Drain Source maximum	30 V
Type de boîtier	TSMT
Type de montage	CMS
Nombre de broches	8
Résistance Drain Source maximum	46 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	2.5 (N Channel) V, 2.5 (P Channel) V
Tension de seuil minimale de la grille	1 (N Channel) V, 1 (P Channel) V
Dissipation de puissance maximum	2,5 W
Tension Grille Source maximum	±20 V
Charge de Grille type @ Vgs	7,2 nC @ 10 V
Nombre d'éléments par circuit	2
Largeur	2.5mm
Longueur	3.1mm
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Tension directe de la diode	1.2V
Série	QH8MA3
Hauteur	0.8mm