MOSFET Vishay canal P, TO-220AB 11 A 200 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 178-0817
- Référence fabricant:
- IRF9640PBF
- Marque:
- Vishay
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Prix pour l'unité (en tube de 50)
1,881 €
HT
2,257 €
TTC
| Unité | Prix par unité | le tube* |
| 50 - 50 | 1,881 € | 94,05 € |
| 100 - 200 | 1,787 € | 89,35 € |
| 250 + | 1,693 € | 84,65 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 178-0817
- Référence fabricant:
- IRF9640PBF
- Marque:
- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistor MOSFET canal P, de 100 à 400 V, Vishay Semiconductor
Les transistors MOSFET de puissance de troisième génération de Vishay fournissent au concepteur la meilleure combinaison de commutation rapide, de conception de dispositif robuste, de faible résistance à l'état passant et de rentabilité. Le boîtier TO-220AB est universellement préféré pour toutes les applications commerciales-industrielles à des niveaux de dissipation de puissance d'environ 50 W.
Puissance nominale dV/dt dynamique
Plus grande facilité de mise en parallèle
Exigences de disque simples
Plus grande facilité de mise en parallèle
Exigences de disque simples
Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | P |
| Courant continu de Drain maximum | 11 A |
| Tension Drain Source maximum | 200 V |
| Type de boîtier | TO-220AB |
| Type de montage | Traversant |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 500 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil minimale de la grille | 2V |
| Dissipation de puissance maximum | 125 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -20 V, +20 V |
| Largeur | 4.7mm |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Charge de Grille type @ Vgs | 44 nC @ 10 V |
| Longueur | 10.41mm |
| Matériau du transistor | Si |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
| Hauteur | 9.01mm |
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