MOSFET Vishay canal N, TO-220AB 8 A 500 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 178-0835
- Référence fabricant:
- IRF840APBF
- Marque:
- Vishay
50 Sous 2 jour(s) (stock Europe)
100 Sous 2 jour(s) (stock Europe)
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Prix pour l'unité (en tube de 50)
1,648 €
HT
1,978 €
TTC
| Unité | Prix par unité | le tube* |
| 50 - 50 | 1,648 € | 82,40 € |
| 100 - 200 | 1,40 € | 70,00 € |
| 250 + | 1,318 € | 65,90 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 178-0835
- Référence fabricant:
- IRF840APBF
- Marque:
- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistor MOSFET canal N, 500 V, Vishay Semiconductor
Le transistor MOSFET de puissance de Vishay est doté d'un Qg à faible charge de grille et offre un besoin de commande simple et une meilleure porte, une avalanche et une robustesse dV/dt dynamique.
Plage de températures de jonction et de stockage en fonctionnement : 55 à +150 °C.
Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 8 A |
| Tension Drain Source maximum | 500 V |
| Type de boîtier | TO-220AB |
| Type de montage | Traversant |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 850 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil minimale de la grille | 2V |
| Dissipation de puissance maximum | 125 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -30 V, +30 V |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Charge de Grille type @ Vgs | 38 nC @ 10 V |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Matériau du transistor | Si |
| Longueur | 10.41mm |
| Largeur | 4.7mm |
| Hauteur | 9.01mm |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
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