MOSFET Vishay canal N, HVMDIP 1 A 100 V, 4 broches
- Code commande RS:
- 178-0913
- Référence fabricant:
- IRLD110PBF
- Marque:
- Vishay
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Ajouté
Prix pour l'unité (en tube de 100)
1,122 €
HT
1,346 €
TTC
| Unité | Prix par unité | le tube* |
| 100 - 100 | 1,122 € | 112,20 € |
| 200 - 400 | 1,10 € | 110,00 € |
| 500 + | 1,044 € | 104,40 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 178-0913
- Référence fabricant:
- IRLD110PBF
- Marque:
- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistor MOSFET canal N, de 100 à 150 V, Vishay Semiconductor
Transistors MOSFET, Vishay Semiconductor
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 1 A |
| Tension Drain Source maximum | 100 V |
| Type de boîtier | HVMDIP |
| Type de montage | Traversant |
| Nombre de broches | 4 |
| Résistance Drain Source maximum | 540 mΩ |
| Mode de canal | Enrichissement |
| Tension de seuil minimale de la grille | 1V |
| Dissipation de puissance maximum | 1,3 W |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -10 V, +10 V |
| Charge de Grille type @ Vgs | 6,1 nC @ 5 V |
| Longueur | 5mm |
| Matériau du transistor | Si |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C |
| Largeur | 6.29mm |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Hauteur | 3.37mm |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |