MOSFET Panasonic canal P, WSMini6-F1-B 4 A 12 V, 6 broches

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Documentation technique

Transistors MOSFET numériques, Panasonic

Attribut	Valeur
Type de canal	P
Courant continu de Drain maximum	4 A
Tension Drain Source maximum	12 V
Type de boîtier	WSMini6-F1-B
Type de montage	CMS
Nombre de broches	6
Résistance Drain Source maximum	54 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	1V
Dissipation de puissance maximum	700 mW
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-8 V, +8 V
Nombre d'éléments par circuit	1
Longueur	2mm
Matériau du transistor	Si
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Largeur	1.7mm
Série	MTM
Hauteur	0.6mm