MOSFET Taiwan Semiconductor canal N, SOT-23 4.9 A 20 V, 3 broches

Code commande RS:: 743-6059
Référence fabricant:: TSM2312CX RFG
Marque:: Taiwan Semiconductor

MOSFET Taiwan Semiconductor canal N, SOT-23 4.9 A 20 V, 3 broches

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Code commande RS:: 743-6059
Référence fabricant:: TSM2312CX RFG
Marque:: Taiwan Semiconductor

Documentation technique

TSM2312, 20V N-Channel MOSFET

Législation et Conformité

Pays d'origine :: TW

Détail produit

Transistor de puissance MOSFET canal N, Taiwan Semiconductor

Transistors MOSFET, Taiwan Semiconductor

Caractéristiques techniques

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	4.9 A
Tension Drain Source maximum	20 V
Type de boîtier	SOT-23
Type de montage	CMS
Nombre de broches	3
Résistance Drain Source maximum	51 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	1V
Dissipation de puissance maximum	750 mW
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-8 V, +8 V
Charge de Grille type @ Vgs	11 nC @ 4,5 V
Largeur	1.7mm
Longueur	3.1mm
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Nombre d'éléments par circuit	1
Matériau du transistor	Si
Hauteur	1.2mm
Température de fonctionnement minimum	-55 °C

Code commande RS:: 743-6059
Référence fabricant:: TSM2312CX RFG
Marque:: Taiwan Semiconductor

TSM2312, 20V N-Channel MOSFET

MOSFET Taiwan Semiconductor canal N, SOT-23 4.9 A 20 V, 3 broches

Documentation technique

Législation et Conformité

Détail produit

Transistor de puissance MOSFET canal N, Taiwan Semiconductor

Caractéristiques techniques

Transistor de puissance MOSFET canal N, Taiwan Semiconductor

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