MOSFET ROHM canal N, SC-95 4,5 A 30 V, 6 broches

Ce produit n’est plus distribué

Documentation technique

Transistors MOSFET, ROHM Semiconductor

Attribut	Valeur
Type de canal	N
Courant continu de Drain maximum	4,5 A
Tension Drain Source maximum	30 V
Type de boîtier	SC-95
Type de montage	CMS
Nombre de broches	6
Résistance Drain Source maximum	70 mΩ
Mode de canal	Enrichissement
Tension de seuil maximale de la grille	2.5V
Dissipation de puissance maximum	1,25 W
Configuration du transistor	Simple
Tension Grille Source maximum	-20 V, +20 V
Température d'utilisation maximum	+150 °C
Largeur	1.8mm
Nombre d'éléments par circuit	1
Longueur	3mm
Matériau du transistor	Si
Charge de Grille type @ Vgs	13 nC @ 10 V
Hauteur	0.95mm