MOSFET Microchip canal N, TO-92 30 mA 500 V, 3 broches
- Code commande RS:
- 829-3250
- Référence fabricant:
- LND150N3-G
- Marque:
- Microchip
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Prix pour l'unité (par multiple de 20)
0,557 €
HT
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TTC
| Unité | Prix par unité | le paquet* |
| 20 - 20 | 0,557 € | 11,14 € |
| 40 - 80 | 0,527 € | 10,54 € |
| 100 + | 0,473 € | 9,46 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 829-3250
- Référence fabricant:
- LND150N3-G
- Marque:
- Microchip
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistors MOSFET à mode déplétion à canal N Supertex
La gamme Supertex de transistors FET DMOS à mode de déplétion à canal N de Microchip sont adaptés aux applications exigeant une haute tension de débitage, une impédance d'entrée élevée, une faible capacité d'entrée et des vitesses de commutation rapides.
Caractéristiques
Impédance d'entrée élevée
Faible capacité d'entrée
Vitesses de commutation rapides
Faible résistance à état passant
Libre de débitage secondaire
Faible niveau de fuites d'entrée et sortie
Faible capacité d'entrée
Vitesses de commutation rapides
Faible résistance à état passant
Libre de débitage secondaire
Faible niveau de fuites d'entrée et sortie
Applications types
Commutateurs normalement fermés
Relais statiques
Convertisseurs
Amplificateurs linéaires
Sources de courant constant
Circuits d'alimentation
Télécommunications
Relais statiques
Convertisseurs
Amplificateurs linéaires
Sources de courant constant
Circuits d'alimentation
Télécommunications
Transistors MOSFET, Microchip
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de canal | N |
| Courant continu de Drain maximum | 30 mA |
| Tension Drain Source maximum | 500 V |
| Type de boîtier | TO-92 |
| Type de montage | Traversant |
| Nombre de broches | 3 |
| Résistance Drain Source maximum | 1 kΩ |
| Mode de canal | Depletion |
| Tension de seuil maximale de la grille | 3V |
| Dissipation de puissance maximum | 740 mW |
| Configuration du transistor | Simple |
| Tension Grille Source maximum | -20 V, +20 V |
| Matériau du transistor | Si |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
| Longueur | 5.2mm |
| Largeur | 4.19mm |
| Nombre d'éléments par circuit | 1 |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
| Hauteur | 5.33mm |
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