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Description
Détails du produit
Diode Zener Panasonic, , 3.3V 2.5%, dissip. ≤ 200 mW, SMini2 F5 B 2 broches
  • 0,02 €
    l'unité (en bobine de 3000)
Diode Zener Panasonic, , 3.3V 2.5%, dissip. ≤ 200 mW, SMini2 F5 B 2 broches
  • Tension zener nominal3.3V
  • Configuration de diodeSimple
  • Nombre d'éléments par circuit1
  • Type de montageCMS
  • Dissipation de puissance maximum200 mW
Voir les produits de la même série Diodes zener
Diode Zener Panasonic, , 3.3V 2.5%, dissip. ≤ 200 mW, SMini2 F5 B 2 broches
  • 0,022 €
    l'unité (par multiple de 25)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
Diode Zener Panasonic, , 3.3V 2.5%, dissip. ≤ 200 mW, SMini2 F5 B 2 broches
  • Tension zener nominal3.3V
  • Configuration de diodeSimple
  • Nombre d'éléments par circuit1
  • Type de montageCMS
  • Dissipation de puissance maximum200 mW
Voir les produits de la même série Diodes zener
Diode, Sw, MA2S101, SSMini2
  • 0,19 €
    l'unité (par multiple de 10)
Diode, Sw, MA2S101, SSMini2
Voir les produits de la même série Diodes de redressement et Schottky
MOSFET, Canal-P, 4 A 12 V SMini3-G1-B, 3 broches
  • 0,139 €
    l'unité (en bobine de 3000)
MOSFET, Canal-P, 4 A 12 V SMini3-G1-B, 3 broches
  • Type de canalP
  • Courant continu de Drain maximum4 A
  • Tension Drain Source maximum12 Mo
  • Type de boîtierSmini3-G1-B
  • Type de montageCMS
Voir les produits de la même série Transistors MOSFET
MOSFET, Canal-P, 4 A 12 V SMini3-G1-B, 3 broches
  • 0,153 €
    l'unité (par multiple de 50)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET, Canal-P, 4 A 12 V SMini3-G1-B, 3 broches
  • Type de canalP
  • Courant continu de Drain maximum4 A
  • Tension Drain Source maximum12 V
  • Type de boîtierSmini3-G1-B
  • Type de montageCMS
Voir les produits de la même série Transistors MOSFET
Transistor, NPN Simple, 1 A, 80 V, MiniP3 F2 B, 3 broches Dual
  • 0,099 €
    l'unité (par multiple de 10)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
Transistor, NPN Simple, 1 A, 80 V, MiniP3 F2 B, 3 broches Dual
  • Type de transistorNPN
  • Courant continu de Collecteur maximum1 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum80 V
  • Type de boîtierMiniP3 F2 B
  • Type de montageCMS
Voir les produits de la même série Transistors bipolaires (BJT)
Transistor, NPN Simple, 1 A, 80 V, MiniP3 F2 B, 3 broches Dual
  • 0,107 €
    l'unité (en bobine de 1000)
Transistor, NPN Simple, 1 A, 80 V, MiniP3 F2 B, 3 broches Dual
  • Type de transistorNPN
  • Courant continu de Collecteur maximum1 A
  • Tension Collecteur Emetteur maximum80 V
  • Type de boîtierMiniP3 F2 B
  • Type de montageCMS
Voir les produits de la même série Transistors bipolaires (BJT)
MOSFET, Canal-N, 2 A 20 V SMini3-G1-B, 3 broches
  • 0,093 €
    l'unité (en bobine de 3000)
MOSFET, Canal-N, 2 A 20 V SMini3-G1-B, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum2 A
  • Tension Drain Source maximum20 V
  • Type de boîtierSMini3-G1-B
  • Type de montageCMS
Voir les produits de la même série Transistors MOSFET
MOSFET, Canal-N, 2 A 20 V SMini3-G1-B, 3 broches
  • 0,249 €
    l'unité (par multiple de 20)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET, Canal-N, 2 A 20 V SMini3-G1-B, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum2 A
  • Tension Drain Source maximum20 V
  • Type de boîtierSMini3-G1-B
  • Type de montageCMS
Voir les produits de la même série Transistors MOSFET
Diode Zener Panasonic, , 24V 5%, dissip. ≤ 1 W, Mini2 F3 B 2 broches
  • 0,123 €
    l'unité (en bobine de 3000)
Diode Zener Panasonic, , 24V 5%, dissip. ≤ 1 W, Mini2 F3 B 2 broches
  • Configuration de diodeSimple
  • Tension zener nominal24V
  • Type de montageCMS
  • Nombre d'éléments par circuit1
  • Dissipation de puissance maximum1 W
Voir les produits de la même série Diodes zener
Diode Zener Panasonic, , 24V 5%, dissip. ≤ 1 W, Mini2 F3 B 2 broches
  • 0,306 €
    l'unité (par multiple de 10)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
Diode Zener Panasonic, , 24V 5%, dissip. ≤ 1 W, Mini2 F3 B 2 broches
  • Tension zener nominal24V
  • Configuration de diodeSimple
  • Nombre d'éléments par circuit1
  • Type de montageCMS
  • Dissipation de puissance maximum1 W
Voir les produits de la même série Diodes zener
MOSFET, Canal-N, 100 mA 30 V SSSMini3 F2 B, 3 broches
  • 0,204 €
    l'unité (par multiple de 25)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET, Canal-N, 100 mA 30 V SSSMini3 F2 B, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum100 mA
  • Tension Drain Source maximum30 V
  • Type de boîtierSSSMini3 F2 B
  • Type de montageCMS
Voir les produits de la même série Transistors MOSFET
MOSFET, Canal-N, 100 mA 30 V SSSMini3 F2 B, 3 broches
  • 0,04 €
    l'unité (en bobine de 10000)
MOSFET, Canal-N, 100 mA 30 V SSSMini3 F2 B, 3 broches
  • Type de canalN
  • Courant continu de Drain maximum100 mA
  • Tension Drain Source maximum30 V
  • Type de boîtierSSSMini3 F2 B
  • Type de montageCMS
Voir les produits de la même série Transistors MOSFET
Diode CMS, 100mA, 30V, DB2S31600L, 800ps
  • 0,036 €
    l'unité (par multiple de 20)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
Diode CMS, 100mA, 30V, DB2S31600L, 800ps
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierSSMini2 F5 B
  • Courant direct continu maximum100mA
  • Tension inverse de crête répétitive30V
  • Configuration de diodeSimple
Voir les produits de la même série Diodes de redressement et Schottky
Diode CMS, 100mA, 30V, DB2S31600L, 800ps
  • 0,032 €
    l'unité (en bobine de 3000)
Diode CMS, 100mA, 30V, DB2S31600L, 800ps
  • Type de montageCMS
  • Type de boîtierSSMini2 F5 B
  • Courant direct continu maximum100mA
  • Tension inverse de crête répétitive30V
  • Configuration de diodeSimple
Voir les produits de la même série Diodes de redressement et Schottky
Diode Zener Panasonic, , 6.2V 5%, dissip. ≤ 1 W, Mini2 F3 B 2 broches
  • 0,128 €
    l'unité (en bobine de 3000)
Diode Zener Panasonic, , 6.2V 5%, dissip. ≤ 1 W, Mini2 F3 B 2 broches
  • Tension zener nominal6.2V
  • Configuration de diodeSimple
  • Nombre d'éléments par circuit1
  • Type de montageCMS
  • Dissipation de puissance maximum1 W
Voir les produits de la même série Diodes zener
Diode Zener Panasonic, , 6.2V 5%, dissip. ≤ 1 W, Mini2 F3 B 2 broches
  • 0,32 €
    l'unité (par multiple de 10)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
Diode Zener Panasonic, , 6.2V 5%, dissip. ≤ 1 W, Mini2 F3 B 2 broches
  • Tension zener nominal6.2V
  • Configuration de diodeSimple
  • Type de montageCMS
  • Nombre d'éléments par circuit1
  • Dissipation de puissance maximum1 W
Voir les produits de la même série Diodes zener
MOSFET, Canal-P, 100 mA 30 V SSSMini3 F2 B, 3 broches
  • 0,221 €
    l'unité (par multiple de 20)
  • Egalement disponible en conditionnement industriel
MOSFET, Canal-P, 100 mA 30 V SSSMini3 F2 B, 3 broches
  • Type de canalP
  • Courant continu de Drain maximum100 mA
  • Tension Drain Source maximum30 V
  • Type de boîtierSSSMini3 F2 B
  • Type de montageCMS
Voir les produits de la même série Transistors MOSFET
MOSFET, Canal-P, 100 mA 30 V SSSMini3 F2 B, 3 broches
  • 0,045 €
    l'unité (en bobine de 10000)
MOSFET, Canal-P, 100 mA 30 V SSSMini3 F2 B, 3 broches
  • Type de canalP
  • Courant continu de Drain maximum100 mA
  • Tension Drain Source maximum30 V
  • Type de boîtierSSSMini3 F2 B
  • Type de montageCMS
Voir les produits de la même série Transistors MOSFET
Transistor, NPN, 2SC2778, Mini3
  • 0,134 €
    l'unité (par multiple de 10)
Transistor, NPN, 2SC2778, Mini3
Voir les produits de la même série Transistors bipolaires (BJT)
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