JFETs

"JFET Un JFET est un dispositif à quatre bornes, qui sont appelées porte, drain, source et corps. La borne de corps est toujours connectée à la source. Il existe deux types de JFET : canal N et canal P.Que signifie JFET ? JFET est l'acronyme de Junction Field-Effect Transistor (transistor de jonction à effet de champ)Fabrication de JFET à canal NLe nom "canal N" signifie que les électrons sont les porteurs de charge majoritaire. Pour former le canal N, des semi-conducteurs de type N sont utilisés comme base et entourés de semi-conducteurs de type P aux deux extrémités. Ces deux régions P sont électriquement reliées ensemble avec un contact ohmique à la grille. Deux autres bornes sortent des extrémités opposées pour le drain et la source.Fabrication de JFET à canal PLe nom "canal P" signifie que les trous sont les porteurs de charge majoritaire. Pour former le canal P, des semi-conducteurs de type P sont utilisés comme base et entourés de semi-conducteurs de type N aux deux extrémités. Ces deux régions N sont électriquement reliées ensemble avec un contact ohmique à la grille. Deux autres bornes sortent des extrémités opposées pour le drain et la source.Caractéristiques et avantages Impédance d'entrée élevée Dispositif commandé par tension Haut degré d'isolation entre l'entrée et la sortie Moins de bruitSous quel nom sont-ils également connus ? JUGFETOù sont utilisés les transistors JFET ? Les transistors JFET offrent de nombreuses applications dans l'électronique et la communication. Ils peuvent être utilisés comme un commutateur à commande électronique pour commander l'alimentation électrique d'une charge, et comme amplificateurs.Quelle est la différence entre un transistor JFET et un BJT (transistor à jonction bipolaire) ? La principale différence entre un JFET et un BJT est le flux porteur de charge majoritaire dans le transistor à effet de champ tandis que le transistor BJT (bipolaire) offre à la fois des flux porteurs de charge majoritaire et minoritaire.Qu'est-ce que le dopage de semi-conducteurs ? Le dopage est le processus consistant à introduire des impuretés étrangères dans des semi-conducteurs intrinsèques pour changer leurs propriétés électriques. Les atomes trivalents utilisés pour doper le silicium font du semi-conducteur intrinsèque un semi-conducteur de type P. Les atomes pentavalents utilisés pour doper le silicium font du semi-conducteur intrinsèque un semi-conducteur de type N.

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Description Prix Type de canal Idss Drain-source Courant de coupure Tension Drain Source maximum Tension Grille Source maximum Tension Drain Grille maximum Configuration Configuration du transistor Résistance Drain Source maximum Type de montage Type de boîtier Nombre de broches Capacitance Drain Grille Capacitance Source Grille ON Dimensions
Code commande RS 177-5508
Référence fabricant2N4392CSM
MarqueSemelab
38,424 €
l'unité (en plateau de 100)
Unité
N 25 → 75mA 40 V +40 V 40V Simple Simple 60 Ω CMS SOT-23 3 - - 3.05 x 2.54 x 1.02mm
Code commande RS 738-7607
Référence fabricant2N4392CSM
MarqueSemelab
37,77 €
la pièce
Unité
N 25 → 75mA 40 V +40 V 40V Simple Simple 60 Ω. CMS SOT-23 3 - - 3.05 x 2.54 x 1.02mm