JFETs

Un JFET est un dispositif à quatre bornes ; les bornes sont appelées porte, drain, source et corps. Le terminal du corps est toujours connecté à la source. Il existe deux types de JFET : canal P et canal N. FET signifie transistor à effet de champ de jonction. Ils peuvent également être appelés JUGFET.

Construction JFET de canal N

Le nom canal N signifie que les électrons sont les porteurs de charge majoritaire. Pour former le canal N, un semi-conducteur de type N est utilisé comme base et dopé avec un semi-conducteur de type P aux deux extrémités. Ces deux régions P sont électriquement reliées avec un contact ohmique à la porte. Deux autres bornes sont prises aux extrémités opposées pour le drain et la source.

Construction JFET à canal P

Le nom canal P signifie que les trous sont les porteurs de charge majoritaire. Pour former le canal P, un semi-conducteur de type P est utilisé comme base et dopé avec un semi-conducteur de type N aux deux extrémités. Ces deux régions N sont électriquement reliées avec un contact ohmique à la porte. Deux autres bornes sont prises aux extrémités opposées pour le drain et la source.

Caractéristiques et avantages

  • Impédance d'entrée élevée
  • Dispositif à commande de tension
  • Degré élevé d'isolation entre l'entrée et le sortie
  • Moins de bruit

A quoi servent les transistors JFET ?

Les transistors JFET sont dotés de nombreuses applications dans l'électronique et la communication. Vous pouvez les utiliser comme un commutateur à commande électronique pour commander l'alimentation électrique à une charge et comme amplificateurs.

Quelle est la différence entre un transistor JFET et un BJT (transistor à jonction bipolaire) ?

La principale différence entre un JFET et un BJT est le flux porteur de charge majoritaire dans le transistor à effet de champ tandis que le transistor BJT (bipolaire) offre à la fois des flux porteurs de charge majoritaire et minoritaire.

Qu'est-ce que le dopage des semi-conducteurs ?

Le dopage est le processus consistant à inclure des impuretés étrangères dans les semi-conducteurs intrinsèques pour modifier leurs propriétés électriques. Les atomes trivalents utilisés pour doper le silicium font d'un semi-conducteur intrinsèque un semi-conducteur de type P. Le pentavalent utilisé pour doper le silicium provoque un semi-conducteur intrinsèque pour devenir un semi-conducteur de type N.


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Description Prix Type de canal Idss Drain-source Courant de coupure Tension Drain Source maximum Tension Grille Source maximum Tension Drain Grille maximum Configuration Configuration du transistor Résistance Drain Source maximum Type de montage Type de boîtier Nombre de broches Capacitance Drain Grille Capacitance Source Grille ON Dimensions
Code commande RS 749-8268
Référence fabricantDSK5J01R0L
MarquePanasonic
0,044 €
l'unité (par multiple de 20)
Unité
N 5 to 12mA - - -55V Simple Simple - CMS SMini3 F2 B 3 - - 2 x 1.25 x 0.8mm
Code commande RS 169-7868
Référence fabricantDSK5J01R0L
MarquePanasonic
0,045 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
N 5 to 12mA - - -55V Simple Simple - CMS SMini3 F2 B 3 - - 2 x 1.25 x 0.8mm