Références fabricant

JFETs

Un JFET est un dispositif à quatre bornes ; les bornes sont appelées porte, drain, source et corps. Le terminal du corps est toujours connecté à la source. Il existe deux types de JFET : canal P et canal N. FET signifie transistor à effet de champ de jonction. Ils peuvent également être appelés JUGFET.

Construction JFET de canal N

Le nom canal N signifie que les électrons sont les porteurs de charge majoritaire. Pour former le canal N, un semi-conducteur de type N est utilisé comme base et dopé avec un semi-conducteur de type P aux deux extrémités. Ces deux régions P sont électriquement reliées avec un contact ohmique à la porte. Deux autres bornes sont prises aux extrémités opposées pour le drain et la source.

Construction JFET à canal P

Le nom canal P signifie que les trous sont les porteurs de charge majoritaire. Pour former le canal P, un semi-conducteur de type P est utilisé comme base et dopé avec un semi-conducteur de type N aux deux extrémités. Ces deux régions N sont électriquement reliées avec un contact ohmique à la porte. Deux autres bornes sont prises aux extrémités opposées pour le drain et la source.

Caractéristiques et avantages

  • Impédance d'entrée élevée
  • Dispositif à commande de tension
  • Degré élevé d'isolation entre l'entrée et le sortie
  • Moins de bruit

A quoi servent les transistors JFET ?

Les transistors JFET sont dotés de nombreuses applications dans l'électronique et la communication. Vous pouvez les utiliser comme un commutateur à commande électronique pour commander l'alimentation électrique à une charge et comme amplificateurs.

Quelle est la différence entre un transistor JFET et un BJT (transistor à jonction bipolaire) ?

La principale différence entre un JFET et un BJT est le flux porteur de charge majoritaire dans le transistor à effet de champ tandis que le transistor BJT (bipolaire) offre à la fois des flux porteurs de charge majoritaire et minoritaire.

Qu'est-ce que le dopage des semi-conducteurs ?

Le dopage est le processus consistant à inclure des impuretés étrangères dans les semi-conducteurs intrinsèques pour modifier leurs propriétés électriques. Les atomes trivalents utilisés pour doper le silicium font d'un semi-conducteur intrinsèque un semi-conducteur de type P. Le pentavalent utilisé pour doper le silicium provoque un semi-conducteur intrinsèque pour devenir un semi-conducteur de type N.

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