Transistors MOSFET

Les MOSFET ((Metal Oxide Semicondutor Field Effect Transistor), également appelés transistor MOSFET, sont des transistors semiconducteurs en métal-oxyde à effet de champ. Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. L'objectif d'un MOSFET est de commander le flux de le courant passant d'une électrode de source à une électrode de drain. Il fonctionne de manière très semblable à un commutateur et est utilisé pour la commutation ou l'amplification de signaux électroniques.

Ces dispositifs à semiconducteurs sont des circuits intégrés (CI) qui sont montés sur des circuits imprimés. Les transistors MOSFET sont fournis dans une large gamme de types de boîtier standard tels que : DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 et TO-220.

Que sont les modes dappauvrissement et denrichissement ?

Les transistors MOSFET offrent deux modes: appauvrissement et enrichissement.Les transistors MOSFET à appauvrissement fonctionnent comme un interrupteur fermé. Le courant passe lorsqu'aucun courant n'est appliqué. Le flux de courant s'arrête si une tension négative est appliquée.Les transistors MOSFET à enrichissement sont similaires à une résistance variable et sont généralement plus populaire que les transistors MOSFET à appauvrissement. Ils sont fournis en variantes à canal N ou canal P.

Comment fonctionnent les MOSFET ?

Les électrodes sur un boîtier MOSFET sont la source, la grille et le drain. Lorsqu'une tension est appliquée entre les électrodes de grille et de source, le courant peut passer par l'électrode de drain vers l'électrode de source. Lorsque la tension appliquée à la grille change, la résistance entre le drain et la source change également. Plus la tension appliquée est faible, plus la résistance est élevée. A mesure que la tension augmente, la résistance entre le drain et la source diminue.Les transistors MOSFET de puissance sont similaires aux transistors MOSFET standard, mais sont conçus pour gérer un niveau de puissance plus élevé.

Transistors MOSFET à canal N par rapport à canal P

Les transistors MOFET sont fabriqués en silicium dopé de type P ou N.

  • Les transistors MOSFET à canal N contiennent des électrons supplémentaires qui sont libres de se déplacer. C'est le type de canal le plus populaire. Les transistors MOSFET à canal N fonctionnent lorsqu'une charge positive est appliquée à l'électrode de grille.
  • Le substrat des transistors MOSFET à canal P contient des électrons et des trous délectron. Les transistors MOSFET à canal P sont connectés à une tension positive. Ces transistors MOSFET s'activent lorsque la tension fournie à l'électrode de grille est inférieure à celle de la tension source.

Où sont utilisés les transistors MOSFET ?

Les transistors MOSFET sont présents dans de nombreuses applications, telles que les microprocesseurs et d'autres composants de mémoire. Les transistors MOSFET sont le plus couramment utilisés dans les circuits comme commutateurs commandés par la tension.


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Description Prix Type de canal Courant continu de Drain maximum Tension Drain Source maximum Type de boîtier Type de montage Nombre de broche Résistance Drain Source maximum Mode de canal Tension de seuil maximale de la grille Tension de seuil minimale de la grille Dissipation de puissance maximum Configuration du transistor Tension Grille Source maximum Nombre d'éléments par circuit
Code commande RS 124-1745
Référence fabricantBS170
0,088 €
L'unité (en sachet de 1000)
Unité
N 500 mA 60 V TO-92 Traversant 3 5 Ω Enrichissement 3V 0.8V 830 mW Simple -20 V, +20 V 1
Code commande RS 671-4736
Référence fabricantBS170
0,27 €
l'unité (par multiple de 10)
Unité
N 500 mA 60 V TO-92 Traversant 3 5 Ω Enrichissement 3V 0.8V 830 mW Simple -20 V, +20 V 1
Code commande RS 671-0324
Référence fabricantBSS138
0,195 €
l'unité (par multiple de 10)
Unité
N 220 mA 50 V SOT-23 CMS 3 3,5 Ω Enrichissement 1.5V 0.8V 360 mW Simple -20 V, +20 V 1
Code commande RS 124-1694
Référence fabricantBSS138
0,035 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
N 220 mA 50 V SOT-23 CMS 3 3,5 Ω Enrichissement 1.5V 0.8V 360 mW Simple -20 V, +20 V 1
Code commande RS 807-6670
Référence fabricantHUF75344G3
2,45 €
l'unité (par multiple de 2)
Unité
N 75 A 55 V A-247 Traversant 3 8 mΩ Enrichissement - 2V 285 W Simple -20 V, +20 V 1
Code commande RS 166-2170
Référence fabricantHUF75344G3
2,08 €
l'unité (en tube de 30)
Unité
N 75 A 55 V A-247 Traversant 3 8 mΩ Enrichissement - 2V 285 W Simple -20 V, +20 V 1
Code commande RS 545-0135
Référence fabricantBSS123LT1G
0,179 €
l'unité (par multiple de 10)
Unité
N 170 mA 100 V SOT-23 CMS 3 6 Ω Enrichissement 2.8V - 225 mW Simple -20 V, +20 V 1
Code commande RS 103-2944
Référence fabricantBSS123LT1G
0,037 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
N 170 mA 100 V SOT-23 CMS 3 6 Ω Enrichissement 2.8V - 225 mW Simple -20 V, +20 V 1
Code commande RS 690-0136
Référence fabricantBSS138LT3G
0,151 €
l'unité (par multiple de 25)
Unité
N 200 mA 50 V SOT-23 CMS 3 3,5 Ω Enrichissement 1.5V 0.5V 225 mW Simple -20 V, +20 V 1
Code commande RS 545-2529
Référence fabricantBSS138LT1G
0,151 €
l'unité (par multiple de 25)
Unité
N 200 mA 50 V SOT-23 CMS 3 3,5 Ω Enrichissement 1.5V - 225 mW Simple -20 V, +20 V 1
Code commande RS 178-4687
Référence fabricantBSS138LT3G
0,028 €
l'unité (en bobine de 10000)
Unité
- - - - - - - - - - - - - -
Code commande RS 671-0312
Référence fabricant2N7002
0,196 €
l'unité (par multiple de 20)
Unité
N 115 mA 60 V SOT-23 CMS 3 7,5 Ω Enrichissement - 1V 200 mW Simple -20 V, +20 V 1
Code commande RS 103-2965
Référence fabricantBSS138LT1G
0,034 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
N 200 mA 50 V SOT-23 CMS 3 3,5 Ω Enrichissement 1.5V - 225 mW Simple -20 V, +20 V 1
Code commande RS 121-2747
Référence fabricantFDV303N
0,098 €
l'unité (par multiple de 100)
Unité
N 680 mA 25 V SOT-23 CMS 3 450 mΩ Enrichissement - 0.65V 350 mW Simple +8 V 1
Code commande RS 145-5305
Référence fabricantFDV303N
0,05 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
N 680 mA 25 V SOT-23 CMS 3 450 mΩ Enrichissement - 0.65V 350 mW Simple +8 V 1
Code commande RS 124-1349
Référence fabricantBUZ11_NR4941
0,841 €
l'unité (en tube de 50)
Unité
N 30 A 50 V TO-220AB Traversant 3 40 mΩ Enrichissement - 2.1V 75 W Simple -20 V, +20 V 1
Code commande RS 761-3515
Référence fabricantBUZ11-NR4941
1,014 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
N 30 A 50 V TO-220AB Traversant 3 40 mΩ Enrichissement - 2.1V 75 W Simple -20 V, +20 V 1
Code commande RS 166-1935
Référence fabricantFDV301N
0,032 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
N 500 mA 25 V SOT-23 CMS 3 9 Ω Enrichissement 1.06V 0.7V 350 mW Simple +8 V 1
Code commande RS 121-2748
Référence fabricantFDV301N
0,058 €
l'unité (par multiple de 150)
Unité
N 500 mA 25 V SOT-23 CMS 3 9 Ω Enrichissement 1.06V 0.7V 350 mW Simple +8 V 1
Code commande RS 368-3197
Référence fabricantRFP12N10L
0,744 €
l'unité (en tube de 50)
Unité
N 12 A 100 V TO-220AB Traversant 3 200 mΩ Enrichissement - 1V 60 W Simple -10 V, +10 V 1