Transistors MOSFET

Les MOSFET ((Metal Oxide Semicondutor Field Effect Transistor), également appelés transistor MOSFET, sont des transistors semiconducteurs en métal-oxyde à effet de champ. Les MOSFET sont des dispositifs de transistors qui sont commandés par un condensateur. L'effet de champ signifie qu'ils sont commandés par la tension. L'objectif d'un MOSFET est de commander le flux de le courant passant d'une électrode de source à une électrode de drain. Il fonctionne de manière très semblable à un commutateur et est utilisé pour la commutation ou l'amplification de signaux électroniques.

Ces dispositifs à semiconducteurs sont des circuits intégrés (CI) qui sont montés sur des circuits imprimés. Les transistors MOSFET sont fournis dans une large gamme de types de boîtier standard tels que : DPAK, D2PAK, DFN, I2PAK, SOIC, SOT-223 et TO-220.

Que sont les modes d’appauvrissement et d’enrichissement ?

Les transistors MOSFET offrent deux modes: appauvrissement et enrichissement.Les transistors MOSFET à appauvrissement fonctionnent comme un interrupteur fermé. Le courant passe lorsqu'aucun courant n'est appliqué. Le flux de courant s'arrête si une tension négative est appliquée.Les transistors MOSFET à enrichissement sont similaires à une résistance variable et sont généralement plus populaire que les transistors MOSFET à appauvrissement. Ils sont fournis en variantes à canal N ou canal P.

Comment fonctionnent les MOSFET ?

Les électrodes sur un boîtier MOSFET sont la source, la grille et le drain. Lorsqu'une tension est appliquée entre les électrodes de grille et de source, le courant peut passer par l'électrode de drain vers l'électrode de source. Lorsque la tension appliquée à la grille change, la résistance entre le drain et la source change également. Plus la tension appliquée est faible, plus la résistance est élevée. A mesure que la tension augmente, la résistance entre le drain et la source diminue.Les transistors MOSFET de puissance sont similaires aux transistors MOSFET standard, mais sont conçus pour gérer un niveau de puissance plus élevé.

Transistors MOSFET à canal N par rapport à canal P

Les transistors MOFET sont fabriqués en silicium dopé de type P ou N.

  • Les transistors MOSFET à canal N contiennent des électrons supplémentaires qui sont libres de se déplacer. C'est le type de canal le plus populaire. Les transistors MOSFET à canal N fonctionnent lorsqu'une charge positive est appliquée à l'électrode de grille.
  • Le substrat des transistors MOSFET à canal P contient des électrons et des trous d’électron. Les transistors MOSFET à canal P sont connectés à une tension positive. Ces transistors MOSFET s'activent lorsque la tension fournie à l'électrode de grille est inférieure à celle de la tension source.

Où sont utilisés les transistors MOSFET ?

Les transistors MOSFET sont présents dans de nombreuses applications, telles que les microprocesseurs et d'autres composants de mémoire. Les transistors MOSFET sont le plus couramment utilisés dans les circuits comme commutateurs commandés par la tension.


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Description Prix Type de canal Courant continu de Drain maximum Tension Drain Source maximum Type de boîtier Type de montage Nombre de broche Nombre de broches Résistance Drain Source maximum Mode de canal Tension de seuil maximale de la grille Tension de seuil minimale de la grille Dissipation de puissance maximum Configuration du transistor Tension Grille Source maximum
Code commande RS 739-0164
Référence fabricantFDC6333C
0,42 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
N, P 2 A, 2,5 A 30 V SOT-23 CMS - 6 150 mΩ, 220 mΩ Enrichissement - 1V 960 mW Isolé -25 V, -16 V, +16 V, +25 V
Code commande RS 124-1702
Référence fabricantFDN306P
0,108 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
P 2,6 A 12 V SOT-23 CMS - 3 40 mΩ Enrichissement - 0.4V 500 mW Simple -8 V, +8 V
Code commande RS 919-4902
Référence fabricantIRFP140NPBF
MarqueInfineon
1,462 €
l'unité (en tube de 25)
Unité
N 33 A 100 V TO-247AC Traversant - 3 52 mΩ Enrichissement 4V 2V 140 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 725-9366
Référence fabricantIRLML9301TRPBF
MarqueInfineon
0,248 €
l'unité (par multiple de 20)
Unité
P 3.6 A 30 V SOT-23 CMS - 3 64 mΩ Enrichissement 2.4V 1.3V 1300 mW Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 807-5184
Référence fabricantBS270
0,244 €
l'unité (par multiple de 50)
Unité
N 400 mA 60 V TO-92 Traversant - 3 3,5 Ω Enrichissement - 1V 625 mW Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 145-5345
Référence fabricantNDP6020P
1,294 €
l'unité (en tube de 50)
Unité
P 24 A 20 V A-220 CMS - 3 80 mΩ Enrichissement - 0.4V 60 W Simple -8 V, +8 V
Code commande RS 650-3707
Référence fabricantIRF5210LPBF
MarqueInfineon
2,082 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
P 38 A 100 V I2PAK (TO-262) Traversant - 3 60 mΩ Enrichissement 4V 2V 3,1 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 807-5910
Référence fabricantFQPF9N50CF
1,422 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
N 9 A 500 V TO-220F Traversant - 3 850 mΩ Enrichissement - 2V 44 W Simple -30 V, +30 V
Code commande RS 145-4614
Référence fabricantFQPF9N50CF
1,205 €
l'unité (en tube de 50)
Unité
N 9 A 500 V TO-220F Traversant - 3 850 mΩ Enrichissement - 2V 44 W Simple -30 V, +30 V
Code commande RS 913-3950
Référence fabricantIRLR2905ZPBF
MarqueInfineon
1,03 €
l'unité (en tube de 75)
Unité
N 60 A 55 V DPAK (TO-252) CMS - 3 14 mΩ Enrichissement 2V 1V 110 W Simple -16 V, +16 V
Code commande RS 913-3966
Référence fabricantIRLR3705ZPBF
MarqueInfineon
1,46 €
l'unité (en tube de 75)
Unité
N 89 A 55 V DPAK (TO-252) CMS - 3 8 mΩ Enrichissement 3V 1V 130 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 650-4558
Référence fabricantIRLR3705ZPBF
MarqueInfineon
1,646 €
l'unité (par multiple de 5)
Unité
N 89 A 55 V DPAK (TO-252) CMS - 3 8 mΩ Enrichissement 3V 1V 130 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 541-1269
Référence fabricantIRFP140NPBF
MarqueInfineon
1,72 €
la pièce
Unité
N 33 A 100 V TO-247AC Traversant - 3 52 mΩ Enrichissement 4V 2V 140 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 124-1309
Référence fabricantFDC6333C
0,114 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
N, P 2 A, 2,5 A 30 V SOT-23 CMS - 6 150 mΩ, 220 mΩ Enrichissement - 1V 960 mW Isolé -25 V, -16 V, +16 V, +25 V
Code commande RS 543-0002
Référence fabricantIRF820PBF
MarqueVishay
0,86 €
la pièce
Unité
N 2,5 A 500 V TO-220AB Traversant - 3 3 Ω Enrichissement - 2V 50 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 541-0525
Référence fabricantIRFD024PBF
MarqueVishay
1,08 €
la pièce
Unité
N 2,5 A 60 V HVMDIP Traversant - 4 100 mΩ Enrichissement - 2V 1,3 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 780-0478
Référence fabricant2N7002KT1G
0,049 €
l'unité (par multiple de 100)
Unité
N 380 mA 60 V SOT-23 CMS - 3 2,5 Ω Enrichissement 2.3V - 420 mW Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 827-5221
Référence fabricantIPD90P04P405ATMA1
MarqueInfineon
1,427 €
l'unité (par multiple de 20)
Unité
P 90 A 40 V DPAK (TO-252) CMS - 3 4,7 mΩ Enrichissement 4V 2V 125 W Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 121-6300
Référence fabricant2N7002KT1G
0,026 €
l'unité (en bobine de 3000)
Unité
N 380 mA 60 V SOT-23 CMS - 3 2,5 Ω Enrichissement 2.3V - 420 mW Simple -20 V, +20 V
Code commande RS 168-8971
Référence fabricantIRLR2905ZTRPBF
MarqueInfineon
0,382 €
l'unité (en bobine de 2000)
Unité
N 60 A 55 V DPAK (TO-252) CMS - 3 13,5 mΩ Enrichissement 3V 1V 110 W Simple -16 V, +16 V