Amplificateur opérationnel onsemi, montage CMS, alim. Double, SOIC 2 8 broches
- Code commande RS:
- 103-5114
- Référence fabricant:
- MC33178DR2G
- Marque:
- onsemi
En stock à partir du 24/07/2024, livraison sous 3 jour(s)
Uniquement disponible en livraison standard
Ajouté
Prix pour l'unité (en bobine de 2500)
0,232 €
HT
0,278 €
TTC
| Unité | Prix par unité | la bobine* |
| 2500 + | 0,232 € | 580,00 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 103-5114
- Référence fabricant:
- MC33178DR2G
- Marque:
- onsemi
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- PH
Détail produit
Ampli-ops à faible bruit, faible consommation MC33178, MC33179, ON Semiconductor
La gamme d'ampli-ops ON Semiconductor MC33178/9 utilise la technologie bipolaire pour les applications de traitement des signaux audio et de données de qualité.
Ils utilisent des transistors à entrée PNP haute fréquence pour produire des amplificateurs à faible tension d'offset, bruit et distorsion.
Ils fournissent également une capacité de commande de courant de sortie élevé tout en consommant 420 μA seulement de courant débité par amplificateur. Disponible en version double et quadruple dans des boîtiers DIP et SOIC.
Ils utilisent des transistors à entrée PNP haute fréquence pour produire des amplificateurs à faible tension d'offset, bruit et distorsion.
Ils fournissent également une capacité de commande de courant de sortie élevé tout en consommant 420 μA seulement de courant débité par amplificateur. Disponible en version double et quadruple dans des boîtiers DIP et SOIC.
Capacité de variateur de sortie 600 W
Grande variation de tension de sortie
Faible tension d'offset : 0,15 mV (moyenne)
Faible distorsion harmonique totale : 0,0024 % (@ 1 kHz avec charge de 600 W)
Largeur de bande à gain élevé : 5 MHz
Vitesse de balayage élevée : 2 V/μs
Fonctionnement de l'alimentation double : ±2 à ±18 V
Attaches ESD sur les entrées
Grande variation de tension de sortie
Faible tension d'offset : 0,15 mV (moyenne)
Faible distorsion harmonique totale : 0,0024 % (@ 1 kHz avec charge de 600 W)
Largeur de bande à gain élevé : 5 MHz
Vitesse de balayage élevée : 2 V/μs
Fonctionnement de l'alimentation double : ±2 à ±18 V
Attaches ESD sur les entrées
Amplificateurs opérationnels, ON Semiconductor
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Type de montage | CMS |
| Type de boîtier | SOIC |
| Type d'alimentation | Double |
| Nombre de canaux par circuit | 2 |
| Nombre de broches | 8 |
| Produit gain bande typique | 5MHz |
| Tension d'alimentation symétrique typique | ±2 → ±18V |
| Slew Rate typique | 2V/µs |
| Fréquence de fonctionnement maximum | 100 kHz |
| Température d'utilisation maximum | +85 °C |
| Température de fonctionnement minimum | -40 °C |
| Rail à rail | Non |
| Gain en tension typique | 106 dB |
| Largeur | 4mm |
| Longueur | 5mm |
| Densité tension/bruit d'entrée typique | 8nV/√Hz |
| Dimensions | 5 x 4 x 1.5mm |
| Hauteur | 1.5mm |
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