Diode traversante, 150mA, 100V, 1N4448 A0, 4ns

Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

Diodes de commutation petits signaux, Taiwan Semiconductor

Diodes et redresseurs, Taiwan Semiconductor

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de montage Traversant
Type de boîtier DO-35
Courant direct continu maximum 150mA
Tension inverse de crête répétitive 100V
Configuration de diode Simple
Type de redressement Commutation
Type diode Jonction au silicium
Nombre de broche 2
Chute minimale de tension directe 1V
Nombre d'éléments par circuit 1
Technologie de diode Jonction au silicium
Temps de recouvrement inverse crête 4ns
Diamètre 2.28mm
courant direct de surcharge non-répétitif de crête 2A
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