Diode traversante, 60A, 100V, VF60100C-M3/4W, Cathode commune

  • Code commande RS 748-1065
  • Référence fabricant VF60100C-M3/4W
  • Marque Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Pays d'origine : CN
Détail produit

TMBS - Redresseurs barrière Schottky MOS Trench, 30 à 80 A, Vishay Semiconductor

La série de redresseurs barrière Schottky MOS Trench (TMBS) de Vishay contient une structure à tranchée brevetée. Les redresseurs TMBS offrent plusieurs avantages par rapport aux redresseurs Schottky planaires. A des tensions d'utilisation de 45 V et au-delà, les redresseurs Schottky planaires peuvent perdre leur avantage de commutation rapide et de faible chute de tension à un degré significatif. La structure TMBS brevetée aborde ces problèmes en réduisant les injections de porteur minoritaire dans la région à dérive, minimisant ainsi les charges stockées tout en améliorant les vitesses de commutation.

Structure à tranchée brevetée
Efficacité améliorée dans les alimentations à découpage c.a./c.c. et les convertisseurs c.c./c.c.
Forte densité de puissance et faible tension directe

Caractéristiques

Redresseurs Schottky - Vishay Semiconductor

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de montage Traversant
Type de boîtier TO-220F
Courant direct continu maximum 60A
Tension inverse de crête répétitive 100V
Configuration de diode Cathode commune
Type diode Schottky
Nombre de broche 3
Chute minimale de tension directe 790mV
Nombre d'éléments par circuit 2
Technologie de diode Schottky
courant direct de surcharge non-répétitif de crête 320A
12 En stock pour livraison sous 1 jour(s)
Prix pour la pièce
2,00
HT
2,40
TTC
Unité
Prix par unité
1 - 9
2,00 €
10 - 19
1,74 €
20 - 49
1,69 €
50 - 99
1,65 €
100 +
1,61 €
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Options de conditionnement :