IGBT, GT60J323(Q), Canal-N, 60 A 600 V TO-3PLH, 3 broches Simple

  • Code commande RS 184-521
  • Référence fabricant GT60J323(Q)
  • Marque Toshiba
Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Pays d'origine : JP
Détail produit

IGBT Discretes Toshiba

IGBT Discretes et modules, Toshiba

Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Courant continu de Collecteur maximum 60 A
Tension Collecteur Emetteur maximum 600 V
Tension Grille Emetteur maximum ±25V
Type de boîtier TO-3PLH
Type de montage Traversant
Type de canal N
Nombre de broches 3
Configuration du transistor Simple
Longueur 20.5mm
Largeur 5.2mm
Hauteur 26mm
Dimensions 20.5 x 5.2 x 26mm
Température d'utilisation maximum +150 °C
Température de fonctionnement minimum -55 °C
5 En stock pour livraison sous 5 jour(s)
Prix pour la pièce
5,65
HT
6,78
TTC
Unité
Prix par unité
1 - 24
5,65 €
25 - 99
4,42 €
100 - 249
3,84 €
250 - 499
3,57 €
500 +
3,51 €
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