- Code commande RS:
- 146-1776
- Référence fabricant:
- 6MBP50VBA-120-50
- Marque:
- Fuji Electric
Ce produit n’est plus distribué
- Code commande RS:
- 146-1776
- Référence fabricant:
- 6MBP50VBA-120-50
- Marque:
- Fuji Electric
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- JP
Détail produit
IPM IGBT (module d'alimentation intelligent), série V, Fuji Electric
Les modules d'alimentation intelligents (IPM) série V, de Fuji Electric, sont équipés de circuits IGBT d'entraînement, de contrôle et de protection. Ils sont faciles à implémenter dans des applications de contrôle de puissance pour les servos c.a., l'équipement de climatisation et les ascenseurs. Les fonctions de protection intégrées permettent d'optimiser et d'augmenter la durée de vie des modules IPM IGBT, ce qui assure la fiabilité élevée du système. Les modules IPM sont équipés de protection contre les surintensités, le court-circuit, la chute de tension de puissance de contrôle et la surchauffe, tout en pouvant émettre des signaux d'alarme.
6 MBP... Sans chopper de freinage
7 MBP... Avec chopper de freinage
7 MBP... Avec chopper de freinage
IGBT Discretes et modules, Fuji Electric
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Courant continu de Collecteur maximum | 50 A |
Tension Collecteur Emetteur maximum | 1200 V |
Dissipation de puissance maximum | 255 W |
Configuration | Triphasé |
Type de boîtier | P 626 |
Type de montage | Montage sur CI |
Type de canal | N |
Nombre de broches | 24 |
Vitesse de découpage | 20kHz |
Configuration du transistor | Triphasé |
Dimensions | 87 x 50.2 x 12mm |
Température d'utilisation maximum | +110 °C |
Température de fonctionnement minimum | -20 °C |