IGBT, FGH30S130P, , 60 A, 1300 V, A-247, 3 broches, Simple

On Semiconductor FGH30S130P est un IGBT 1300V, 30A avec des technologies de tranchée à anode court-circuitée et d'arrêt de champ. Les applications à commutation douce sont idéales pour le FGH30S130P, avec une conduction efficace et des performances de commutation élevées. L'IGBT FGH30S130P peut fonctionner en configuration parallèle et offre de grandes capacités d'avalanche.
L'IGBT FGH30S130P est conçu pour être utilisé dans le chauffage par induction, les fours à micro-ondes et autres appareils électroménagers.

Paquet TO-247
• Commutation à grande vitesse
Conduction supérieure
• Faible tension de saturation
• Impédance d'entrée élevée

Versions disponibles :
864-8849 - paquet de 2
166-3300 - tube de 30

Transistors bipolaires à porte isolée et modules, Fairchild Semiconductor

Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.