- Code commande RS:
- 168-4763
- Référence fabricant:
- IXA70I1200NA
- Marque:
- IXYS
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Prix pour l'unité (en tube de 10)
29,255 €
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Unité | Prix par unité | le tube* |
10 + | 29,255 € | 292,55 € |
*Prix donné à titre indicatif |
- Code commande RS:
- 168-4763
- Référence fabricant:
- IXA70I1200NA
- Marque:
- IXYS
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- US
Détail produit
IGBT Discretes, IXYS série XPT
La gamme XPT™ d'IGBT discrets d'IXYS intègre la technologie de galette fine Extreme-light Punch-Through, qui permet de réduire la résistance thermique et les pertes énergétiques. Ces circuits offrent un temps de commutation court avec un faible courant de queue, et sont disponibles dans une large variété de boîtiers standards et propriétaires.
Forte densité de puissance et faible Vce(sat)
RBSOA (Square Reverse Bias Safe Operating Areas, ou aires de sécurité inverse) jusqu'à la tension d'isolement nominale
Capacité de court-circuit pendant 10 μs
Coefficient de température positive en tension à l'état passant
Diodes Sonic-FRD™ ou HiPerFRED™ dans le même boîtier proposé en option
Boîtiers haute tension aux normes internationales et propriétaires
RBSOA (Square Reverse Bias Safe Operating Areas, ou aires de sécurité inverse) jusqu'à la tension d'isolement nominale
Capacité de court-circuit pendant 10 μs
Coefficient de température positive en tension à l'état passant
Diodes Sonic-FRD™ ou HiPerFRED™ dans le même boîtier proposé en option
Boîtiers haute tension aux normes internationales et propriétaires
IGBT Discretes et modules, IXYS
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Courant continu de Collecteur maximum | 100 A |
Tension Collecteur Emetteur maximum | 1200 V |
Tension Grille Emetteur maximum | ±20V |
Dissipation de puissance maximum | 350 W |
Type de boîtier | SOT-227B |
Type de montage | CMS |
Type de canal | N |
Nombre de broches | 4 |
Configuration du transistor | Simple |
Dimensions | 38.23 x 25.25 x 9.6mm |
Température de fonctionnement minimum | -40 °C |
Température d'utilisation maximum | +125 °C |