IGBT, GT20J341, Canal-N, 20 A 600 V TO-220SIS 100kHz, 3 broches Simple

  • Code commande RS 168-7764
  • Référence fabricant GT20J341
  • Marque Toshiba
Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Pays d'origine : JP
Détail produit

IGBT Discretes Toshiba

IGBT Discretes et modules, Toshiba

Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Courant continu de Collecteur maximum 20 A
Tension Collecteur Emetteur maximum 600 V
Tension Grille Emetteur maximum ±25V
Dissipation de puissance maximum 45 W
Type de boîtier TO-220SIS
Type de montage Traversant
Type de canal N
Nombre de broches 3
Vitesse de découpage 100kHz
Configuration du transistor Simple
Longueur 10mm
Largeur 4.5mm
Hauteur 15mm
Dimensions 10 x 4.5 x 15mm
Température d'utilisation maximum +150 °C
350 En stock pour livraison sous 1 jour(s)
Prix pour l'unité (en tube de 50)
1,176
HT
1,411
TTC
Unité
Prix par unité
le tube*
50 +
1,176 €
58,80 €
*Prix donné à titre indicatif
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