IGBT, SIA456DJ-T1-GE3
- Code commande RS:
- 180-7336
- Référence fabricant:
- SIA456DJ-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
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Prix pour l'unité (en bobine de 3000)
0,52 €
HT
0,62 €
TTC
| Unité | Prix par unité | la bobine* |
| 3000 + | 0,52 € | 1 560,00 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 180-7336
- Référence fabricant:
- SIA456DJ-T1-GE3
- Marque:
- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Le Vishay SIA456DJ est un transistor MOSFET à canal N avec drain à la tension source (Vds) de 200 V et tension porte à source (VGS Il est doté d'un boîtier Power PAK SC-70. Il offre une résistance de drain à source (RDS.) de 1,38 ohm à 4,5 VGS et 1,5 ohm à 2,5 VGS. Courant de drain maximum de 2,6 A.
Transistor MOSFET de puissance à transistor à tranchée
Boîtier SC-70 Power PAK à amélioration thermique
Zone à encombrement réduit
Boîtier SC-70 Power PAK à amélioration thermique
Zone à encombrement réduit