MOSFET Vishay
- Code commande RS:
- 180-8309
- Référence fabricant:
- IRF9Z24PBF
- Marque:
- Vishay
En stock à partir du 25/09/2024, livraison sous 3 jour(s)
Uniquement disponible en livraison standard
Ajouté
Prix pour l'unité (en tube de 50)
1,269 €
HT
1,523 €
TTC
| Unité | Prix par unité | le tube* |
| 50 - 50 | 1,269 € | 63,45 € |
| 100 - 200 | 1,206 € | 60,30 € |
| 250 + | 1,142 € | 57,10 € |
| *Prix donné à titre indicatif | ||
- Code commande RS:
- 180-8309
- Référence fabricant:
- IRF9Z24PBF
- Marque:
- Vishay
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Transistor MOSFET de Vishay
Le transistor MOSFET de Vishay est un boîtier TO-263-3 à canal N, un nouveau produit d'âge avec une tension source de drain de 60 V et une tension source de grille maximale de 20 V. Il est doté d'une résistance drain-source de 280 Mohm à une tension de grille-source de 10 V. Le transistor MOSFET est doté d'une dissipation de puissance maximale de 60 W. Ce produit a été optimisé pour réduire les pertes de commutation et de conduction. Le transistor MOSFET offre un excellent rendement ainsi qu'une longue durée de vie productive sans compromettre les performances ou la fonctionnalité.
Caractéristiques et avantages
Valeur nominale dV/dt dynamique
Facilité de mise en parallèle
Commutation rapide
Composant sans plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 175 °C.
Protection contre les avalanches répétitives
Exigences de disque simples
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET
Facilité de mise en parallèle
Commutation rapide
Composant sans plomb (Pb)
Les plages de températures d'utilisation sont comprises entre -55 et 175 °C.
Protection contre les avalanches répétitives
Exigences de disque simples
Transistor MOSFET de puissance TrenchFET
Applications
• Chargeurs de batterie
• Inverseurs
• Alimentations
Alimentation à découpage (SMPS)
• Inverseurs
• Alimentations
Alimentation à découpage (SMPS)