IGBT, DGTD65T50S1PT, , 100 A, 200 A (impulsion) 650 V A-247, 3 broches 1 Simple

  • Code commande RS 182-6873
  • Référence fabricant DGTD65T50S1PT
  • Marque DiodesZetex
Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Pays d'origine : CN
Détail produit

Le DGTD65T50S1PT est produit en faisant appel à la technologie avancée des IGBT à tranchée et arrêt de champ, qui fournit une excellente qualité et des performances de découpage rapide.

Commutation haute vitesse et faible perte de puissance
VCE(sat) = 1,85 V @ IC = 50 A
Impédance d'entrée élevée
trr = 80 ns (typique) @ diF/dt = 1 000 A/μs
Eoff = 0,55 mJ @ TC=25 °C
Température de jonction maximale 175°C
Finition sans plomb
Sans halogène ou antimoine. Dispositif écologique
Applications
UPS
Machine à souder
Inverseur solaire
Cuiseur à induction

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Courant continu de Collecteur maximum 100 A, 200 A (impulsion)
Tension Collecteur Emetteur maximum 650 V
Tension Grille Emetteur maximum ±20V
Nombre de transistors 1
Dissipation de puissance maximum 375 W
Type de boîtier A-247
Type de montage Traversant
Nombre de broche 3
Configuration du transistor Simple
Longueur 16.26mm
Largeur 5.31mm
Hauteur 21.46mm
Dimensions 16.26 x 5.31 x 21.46mm
Capacité de grille 4453pF
Température d'utilisation maximum +175 °C
Température de fonctionnement minimum -40 °C
450 En stock pour livraison sous 2 jour(s)
Prix pour l'unité (en tube de 30)
4,263
HT
5,116
TTC
Unité
Prix par unité
le tube*
30 - 60
4,263 €
127,89 €
90 - 120
3,935 €
118,05 €
150 +
3,654 €
109,62 €
*Prix donné à titre indicatif
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