IGBT, DGTD65T60S2PT, , 100 A, 180 A (impulsion) 650 V A-247, 3 broches 1 Simple

  • Code commande RS 182-6874
  • Référence fabricant DGTD65T60S2PT
  • Marque DiodesZetex
Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Pays d'origine : CN
Détail produit

Le DGTD65T60S2PT est produit en faisant appel à la technologie avancée des IGBT à tranchée et arrêt de champ de 2e génération, qui non seulement offre une haute efficacité de commutation, mais qui est également extrêmement résistante et d'excellente qualité pour les applications où les faibles pertes de conduction sont essentielles.

Commutation haute vitesse et faible perte de puissance
VCE(sat) = 1,85 V @ IC = 60 A
Impédance d'entrée élevée
trr = 110 ns (typique) @ diF/dt = 500 A/μs
Eoff = 0,53 mJ @ TC=25 °C
Température de jonction maximale 175°C
Finition sans plomb
Sans halogène ou antimoine. Dispositif écologique
Applications
UPS
Machine à souder
Inverseur solaire
Cuiseur à induction

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Courant continu de Collecteur maximum 100 A, 180 A (impulsion)
Tension Collecteur Emetteur maximum 650 V
Tension Grille Emetteur maximum ±20V
Nombre de transistors 1
Dissipation de puissance maximum 428 W
Type de boîtier A-247
Type de montage Traversant
Nombre de broche 3
Configuration du transistor Simple
Longueur 16.26mm
Largeur 5.31mm
Hauteur 21.46mm
Dimensions 16.26 x 5.31 x 21.46mm
Température d'utilisation maximum +175 °C
Capacité de grille 2327pF
Température de fonctionnement minimum -40 °C
420 En stock pour livraison sous 2 jour(s)
Prix pour l'unité (en tube de 30)
3,642
HT
4,37
TTC
Unité
Prix par unité
le tube*
30 - 60
3,642 €
109,26 €
90 - 120
3,362 €
100,86 €
150 +
3,122 €
93,66 €
*Prix donné à titre indicatif
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