IGBT, DGTD65T60S2PT, , 100 A, 180 A (impulsion), 650 V, A-247, 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 182-6874
- Référence fabricant:
- DGTD65T60S2PT
- Marque:
- DiodesZetex
Ce produit n’est plus distribué
- Code commande RS:
- 182-6874
- Référence fabricant:
- DGTD65T60S2PT
- Marque:
- DiodesZetex
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- CN
Détail produit
Le DGTD65T60S2PT est produit en faisant appel à la technologie avancée des IGBT à tranchée et arrêt de champ de 2e génération, qui non seulement offre une haute efficacité de commutation, mais qui est également extrêmement résistante et d'excellente qualité pour les applications où les faibles pertes de conduction sont essentielles.
Commutation haute vitesse et faible perte de puissance
VCE(sat) = 1,85 V @ IC = 60 A
Impédance d'entrée élevée
trr = 110 ns (typique) @ diF/dt = 500 A/μs
Eoff = 0,53 mJ @ TC=25 °C
Température de jonction maximale 175°C
Finition sans plomb
Sans halogène ou antimoine. Dispositif écologique
Applications
UPS
Machine à souder
Inverseur solaire
Cuiseur à induction
VCE(sat) = 1,85 V @ IC = 60 A
Impédance d'entrée élevée
trr = 110 ns (typique) @ diF/dt = 500 A/μs
Eoff = 0,53 mJ @ TC=25 °C
Température de jonction maximale 175°C
Finition sans plomb
Sans halogène ou antimoine. Dispositif écologique
Applications
UPS
Machine à souder
Inverseur solaire
Cuiseur à induction
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Courant continu de Collecteur maximum | 100 A, 180 A (impulsion) |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 650 V |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V |
| Dissipation de puissance maximum | 428 W |
| Nombre de transistors | 1 |
| Type de boîtier | A-247 |
| Type de montage | Traversant |
| Nombre de broches | 3 |
| Configuration du transistor | Simple |
| Dimensions | 16.26 x 5.31 x 21.46mm |
| Capacité de grille | 2327pF |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C |
| Température de fonctionnement minimum | -40 °C |