IGBT, GT30J322(Q), Canal-N, 30 A 600 V TO-3PNIS, 3 broches Simple

  • Code commande RS 601-2807
  • Référence fabricant GT30J322(Q)
  • Marque Toshiba
Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Pays d'origine : JP
Détail produit

IGBT Discretes Toshiba

IGBT Discretes et modules, Toshiba

Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Courant continu de Collecteur maximum 30 A
Tension Collecteur Emetteur maximum 600 V
Tension Grille Emetteur maximum ±20V
Type de boîtier TO-3PNIS
Type de montage Traversant
Type de canal N
Nombre de broches 3
Configuration du transistor Simple
Longueur 15.8mm
Largeur 5mm
Hauteur 21mm
Dimensions 15.8 x 5 x 21mm
Température d'utilisation maximum +150 °C
10 En stock pour livraison sous 5 jour(s)
Prix pour la pièce
3,97
HT
4,76
TTC
Unité
Prix par unité
1 - 24
3,97 €
25 - 99
3,38 €
100 - 249
2,98 €
250 - 499
2,58 €
500 +
2,24 €
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