Module IGBT, 1MBi200U4H-120L-50, , 200 A, 1200 V, M259, 7 broches, Simple
- Code commande RS:
- 747-1119
- Référence fabricant:
- 1MBi200U4H-120L-50
- Marque:
- Fuji Electric
Ce produit n’est plus distribué
Proposition de remplacement
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- Code commande RS:
- 747-1119
- Référence fabricant:
- 1MBi200U4H-120L-50
- Marque:
- Fuji Electric
Documentation technique
Législation et Conformité
- Pays d'origine :
- MY
Détail produit
Modules IGBT, lot de 1, Fuji Electric
Diaphragme de champ série V de 6ème génération
Diaphragme de champ séries U/U4 de 5ème génération
IGBT Chooper ultra-rapides planaires-NPT série HH
Diaphragme de champ séries U/U4 de 5ème génération
IGBT Chooper ultra-rapides planaires-NPT série HH
IGBT Discretes et modules, Fuji Electric
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Courant continu de Collecteur maximum | 200 A |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1200 V |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V |
| Dissipation de puissance maximum | 1040 W |
| Configuration | Simple |
| Type de boîtier | M259 |
| Type de montage | Montage panneau |
| Type de canal | N |
| Nombre de broches | 7 |
| Configuration du transistor | Simple |
| Dimensions | 108 x 62 x 30mm |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
- Code commande RS:
- 747-1119
- Référence fabricant:
- 1MBi200U4H-120L-50
- Marque:
- Fuji Electric