- Code commande RS:
- 752-8347
- Référence fabricant:
- IKW40N120H3FKSA1
- Marque:
- Infineon
- Code commande RS:
- 752-8347
- Référence fabricant:
- IKW40N120H3FKSA1
- Marque:
- Infineon
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistors IGBT TrenchStop d'Infineon, 1 100 à 1 600 V
Une gamme de transistors IGBT d'Infineon avec des tensions nominales du collecteur-émetteur de 1 100 à 1 600 V comportant la technologie TrenchStop™. La gamme comprend des circuits avec diode intégrée haute vitesse, antiparallèle à récupération rapide.
Plage de tensions de l'émetteur-collecteur 1 100 à 1 600 V
VCEsat très faible
Pertes de mise hors tension faibles
Courant d'extrémité court
IEM faible
Température de jonction maximale 175 °C
VCEsat très faible
Pertes de mise hors tension faibles
Courant d'extrémité court
IEM faible
Température de jonction maximale 175 °C
IGBT Discretes et modules, Infineon
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Courant continu de Collecteur maximum | 80 A |
Tension Collecteur Emetteur maximum | 1200 V |
Tension Grille Emetteur maximum | ±20V |
Dissipation de puissance maximum | 483 W |
Type de boîtier | A-247 |
Type de montage | Traversant |
Type de canal | N |
Nombre de broches | 3 |
Configuration du transistor | Simple |
Dimensions | 16.03 x 5.16 x 21.1mm |
Température d'utilisation maximum | +175 °C |
Température de fonctionnement minimum | -40 °C |