IGBT, NGTB30N120IHRWG, , 60 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 796-1331
- Référence fabricant:
- NGTB30N120IHRWG
- Marque:
- ON Semiconductor
Ce produit n’est plus distribué
- Code commande RS:
- 796-1331
- Référence fabricant:
- NGTB30N120IHRWG
- Marque:
- ON Semiconductor
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
IGBT Discretes, ON Semi-conducteur
Transistors bipolaires à grille isolée (IGBT) pour contrôle de moteur et autres applications de commutation haute intensité.
IGBT Discretes, ON Semi-conducteur
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Courant continu de Collecteur maximum | 60 A |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1200 V |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V |
| Dissipation de puissance maximum | 384 W |
| Type de boîtier | A-247 |
| Type de montage | Traversant |
| Type de canal | N |
| Nombre de broches | 3 |
| Vitesse de découpage | 1MHz |
| Configuration du transistor | Simple |
| Dimensions | 16.25 x 5.3 x 21.4mm |
| Température d'utilisation maximum | +175 °C |
| Température de fonctionnement minimum | -40 °C |