IGBT, GT20J341, Canal-N, 20 A 600 V TO-220SIS 100kHz, 3 broches Simple

  • Code commande RS 796-5055
  • Référence fabricant GT20J341
  • Marque Toshiba
Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

IGBT Discretes Toshiba

IGBT Discretes et modules, Toshiba

Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Courant continu de Collecteur maximum 20 A
Tension Collecteur Emetteur maximum 600 V
Tension Grille Emetteur maximum ±25V
Dissipation de puissance maximum 45 W
Type de boîtier TO-220SIS
Type de montage Traversant
Type de canal N
Nombre de broches 3
Vitesse de découpage 100kHz
Configuration du transistor Simple
Longueur 10mm
Largeur 4.5mm
Hauteur 15mm
Dimensions 10 x 4.5 x 15mm
Température d'utilisation maximum +150 °C
19 pour livraison dès le lendemain (stock France)
62 Sous 1 jour(s) (stock Europe)
Prix pour la pièce
1,65
HT
1,98
TTC
Unité
Prix par unité
1 - 4
1,65 €
5 - 9
1,57 €
10 - 24
1,46 €
25 - 49
1,38 €
50 +
1,32 €
Options de conditionnement :