IGBT, GT50JR21, Canal-N, 50 A 600 V TO-3P 1MHz, 3 broches Simple

  • Code commande RS 796-5061
  • Référence fabricant GT50JR21
  • Marque Toshiba
Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

IGBT Discretes Toshiba

IGBT Discretes et modules, Toshiba

Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Courant continu de Collecteur maximum 50 A
Tension Collecteur Emetteur maximum 600 V
Tension Grille Emetteur maximum ±25V
Dissipation de puissance maximum 230 W
Type de boîtier TO-3P
Type de montage Traversant
Type de canal N
Nombre de broches 3
Vitesse de découpage 1MHz
Configuration du transistor Simple
Longueur 15.5mm
Largeur 4.5mm
Hauteur 20mm
Dimensions 15.5 x 4.5 x 20mm
Température d'utilisation maximum +175 °C
41 En stock pour livraison sous 2 jour(s)
Prix pour la pièce
3,99
HT
4,79
TTC
Unité
Prix par unité
1 +
3,99 €
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