IGBT, HGTG18N120BND, , 54 A, 1200 V, A-247, 3 broches, Simple
- Code commande RS:
- 903-4285
- Référence fabricant:
- HGTG18N120BND
- Marque:
- onsemi
Ce produit n’est plus distribué
- Code commande RS:
- 903-4285
- Référence fabricant:
- HGTG18N120BND
- Marque:
- onsemi
Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
IGBT discrets, 1 000 V et plus, Fairchild Semiconductor
Transistors bipolaires à porte isolée et modules, Fairchild Semiconductor
Le transistor bipolaire à porte isolée ou IGBT est un dispositif à semi-conducteurs de puissance à trois bornes, réputé pour sa haute efficacité et rendement et sa commutation rapide. L'IGBT combine les caractéristiques de commande de porte simples des MOSFET à la capacité courant élevé et basse tension de saturation des transistors bipolaires en combinant un transistor FET à porte isolée pour l'entrée de commande, et un transistor de puissance bipolaire comme commutateur, dans un circuit simple.
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
|---|---|
| Courant continu de Collecteur maximum | 54 A |
| Tension Collecteur Emetteur maximum | 1200 V |
| Tension Grille Emetteur maximum | ±20V |
| Dissipation de puissance maximum | 390 W |
| Type de boîtier | A-247 |
| Type de montage | Traversant |
| Type de canal | N |
| Nombre de broches | 3 |
| Configuration du transistor | Simple |
| Dimensions | 15.87 x 4.82 x 20.82mm |
| Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
| Température d'utilisation maximum | +150 °C |
- Code commande RS:
- 903-4285
- Référence fabricant:
- HGTG18N120BND
- Marque:
- onsemi