JFET, MMBF4393LT1G, Canal-N, 30 V Simple SOT-23, 3 broches Simple

Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

Transistor JFET canal N, ON Semiconductor

Transistors JFET

Une gamme de dispositifs à semi-conducteurs discrets JFET (transistor à effet de champ à jonction) et HEMT/HFET (transistor à haute mobilité d'électrons/jonction hétéro-bipolaire FET).

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Idss Drain-source Courant de coupure 5 → 30mA
Tension Drain Source maximum 30 V
Tension Grille Source maximum +30 V
Tension Drain Grille maximum 30V
Configuration Simple
Configuration du transistor Simple
Résistance Drain Source maximum 100 Ω
Type de montage CMS
Type de boîtier SOT-23
Nombre de broches 3
Capacitance Drain Grille 14 pF @ 0 V
Capacitance Source Grille ON 14 pF @ -15 V
Dimensions 3.04 x 1.4 x 1.01mm
Hauteur 1.01mm
Largeur 1.4mm
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Température d'utilisation maximum +150 °C
Longueur 3.04mm
33000 En stock pour livraison sous 2 jour(s)
Prix pour l'unité (en bobine de 3000)
0,081
HT
0,097
TTC
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +
0,081 €
243,00 €
*Prix donné à titre indicatif
.