JFET, MMBFJ112, Canal-N, Simple SOT-23, 3 broches Simple

Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Pays d'origine : CN
Détail produit

Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor

Transistors JFET

Une gamme de dispositifs à semi-conducteurs discrets JFET (transistor à effet de champ à jonction) et HEMT/HFET (transistor à haute mobilité d'électrons/jonction hétéro-bipolaire FET).

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Idss Drain-source Courant de coupure Min. 5mA
Tension Grille Source maximum -35 V
Tension Drain Grille maximum 35V
Configuration Simple
Configuration du transistor Simple
Résistance Drain Source maximum 50 Ω
Type de montage CMS
Type de boîtier SOT-23
Nombre de broches 3
Capacitance Drain Grille 28pF
Capacitance Source Grille ON 28pF
Dimensions 2.92 x 1.3 x 0.93mm
Longueur 2.92mm
Hauteur 0.93mm
Largeur 1.3mm
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Température d'utilisation maximum +150 °C
15000 En stock pour livraison sous 2 jour(s)
Prix pour l'unité (en bobine de 3000)
0,081
HT
0,097
TTC
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +
0,081 €
243,00 €
*Prix donné à titre indicatif
.