JFET, MMBFJ175LT1G, Canal-P, 15 V Simple SOT-23, 3 broches Simple

Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

Transistor JFET canal P, ON Semiconductor

Transistors JFET

Une gamme de dispositifs à semi-conducteurs discrets JFET (transistor à effet de champ à jonction) et HEMT/HFET (transistor à haute mobilité d'électrons/jonction hétéro-bipolaire FET).

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal P
Idss Drain-source Courant de coupure -7 → -60mA
Tension Drain Source maximum 15 V
Tension Drain Grille maximum -25V
Configuration du transistor Simple
Configuration Simple
Résistance Drain Source maximum 125 Ω
Type de montage CMS
Type de boîtier SOT-23
Nombre de broches 3
Capacitance Drain Grille 11 pF @ 0 V
Capacitance Source Grille ON 11 pF @ -10 V
Dimensions 3.04 x 1.4 x 1.01mm
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Largeur 1.4mm
Hauteur 1.01mm
Longueur 3.04mm
Température d'utilisation maximum +150 °C
3000 En stock pour livraison sous 2 jour(s)
Prix pour l'unité (en bobine de 3000)
0,109
HT
0,131
TTC
Unité
Prix par unité
la bobine*
3000 +
0,109 €
327,00 €
*Prix donné à titre indicatif
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