- Code commande RS:
- 773-7819
- Référence fabricant:
- MMBFJ309LT1G
- Marque:
- onsemi
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Documentation technique
Législation et Conformité
Détail produit
Transistor JFET canal N, ON Semiconductor
Transistors JFET
Une gamme de dispositifs à semi-conducteurs discrets JFET (transistor à effet de champ à jonction) et HEMT/HFET (transistor à haute mobilité d'électrons/jonction hétéro-bipolaire FET).
Caractéristiques techniques
Attribut | Valeur |
---|---|
Type de canal | N |
Idss Drain-source Courant de coupure | 12 to 30mA |
Tension Drain Source maximum | 25 V |
Configuration | Simple |
Configuration du transistor | Simple |
Type de montage | CMS |
Type de boîtier | SOT-23 |
Nombre de broches | 3 |
Capacitance Source Grille ON | 5pF |
Dimensions | 3.04 x 1.4 x 1.01mm |
Température de fonctionnement minimum | -55 °C |
Largeur | 1.4mm |
Longueur | 3.04mm |
Température d'utilisation maximum | +150 °C |
Hauteur | 1.01mm |
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