JFET, J112, Canal-N, Simple TO-92, 3 broches Simple

Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

Transistor JFET canal N, Fairchild Semiconductor

Transistors JFET

Une gamme de dispositifs à semi-conducteurs discrets JFET (transistor à effet de champ à jonction) et HEMT/HFET (transistor à haute mobilité d'électrons/jonction hétéro-bipolaire FET).

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Idss Drain-source Courant de coupure Min. 5mA
Tension Grille Source maximum -35 V
Tension Drain Grille maximum 35V
Configuration du transistor Simple
Configuration Simple
Résistance Drain Source maximum 50 Ω
Type de montage Traversant
Type de boîtier TO-92
Nombre de broches 3
Capacitance Drain Grille 28pF
Capacitance Source Grille ON 28pF
Dimensions 5.2 x 4.19 x 5.33mm
Hauteur 5.33mm
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Température d'utilisation maximum +150 °C
Longueur 5.2mm
Largeur 4.19mm
200 pour livraison dès le lendemain (stock France)
6500 Sous 1 jour(s) (stock Europe)
Prix pour l'unité (par multiple de 50)
0,27
HT
0,32
TTC
Unité
Prix par unité
le paquet*
50 - 450
0,27 €
13,50 €
500 +
0,129 €
6,45 €
*Prix donné à titre indicatif
Options de conditionnement :