JFET, MMBFJ175LT1G, Canal-P, 15 V Simple SOT-23, 3 broches Simple

Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

Transistor JFET canal P, ON Semiconductor

Transistors JFET

Une gamme de dispositifs à semi-conducteurs discrets JFET (transistor à effet de champ à jonction) et HEMT/HFET (transistor à haute mobilité d'électrons/jonction hétéro-bipolaire FET).

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal P
Idss Drain-source Courant de coupure -7 → -60mA
Tension Drain Source maximum 15 V
Tension Drain Grille maximum -25V
Configuration Simple
Configuration du transistor Simple
Résistance Drain Source maximum 125 Ω
Type de montage CMS
Type de boîtier SOT-23
Nombre de broches 3
Capacitance Drain Grille 11 pF @ 0 V
Capacitance Source Grille ON 11 pF @ -10 V
Dimensions 3.04 x 1.4 x 1.01mm
Longueur 3.04mm
Largeur 1.4mm
Hauteur 1.01mm
Température d'utilisation maximum +150 °C
Température de fonctionnement minimum -55 °C
400 En stock pour livraison sous 1 jour(s)
Prix pour l'unité (par multiple de 25)
0,305
HT
0,366
TTC
Unité
Prix par unité
le paquet*
25 - 75
0,305 €
7,625 €
100 - 225
0,174 €
4,35 €
250 - 475
0,163 €
4,075 €
500 - 975
0,15 €
3,75 €
1000 +
0,128 €
3,20 €
*Prix donné à titre indicatif
.
Options de conditionnement :