JFET, MMBF4393LT1G, Canal-N, 30 V Simple SOT-23, 3 broches Simple

Documentation technique
Législation et Conformité
Déclaration de conformité RoHS
Détail produit

Transistor JFET canal N, ON Semiconductor

Transistors JFET

Une gamme de dispositifs à semi-conducteurs discrets JFET (transistor à effet de champ à jonction) et HEMT/HFET (transistor à haute mobilité d'électrons/jonction hétéro-bipolaire FET).

Caractéristiques techniques
Attribut Valeur
Type de canal N
Idss Drain-source Courant de coupure 5 → 30mA
Tension Drain Source maximum 30 V
Tension Grille Source maximum +30 V
Tension Drain Grille maximum 30V
Configuration Simple
Configuration du transistor Simple
Résistance Drain Source maximum 100 Ω
Type de montage CMS
Type de boîtier SOT-23
Nombre de broches 3
Capacitance Drain Grille 14 pF @ 0 V
Capacitance Source Grille ON 14 pF @ -15 V
Dimensions 3.04 x 1.4 x 1.01mm
Température de fonctionnement minimum -55 °C
Longueur 3.04mm
Température d'utilisation maximum +150 °C
Hauteur 1.01mm
Largeur 1.4mm
2850 En stock pour livraison sous 1 jour(s)
Prix pour l'unité (par multiple de 50)
0,27
HT
0,32
TTC
Unité
Prix par unité
le paquet*
50 - 50
0,27 €
13,50 €
100 - 200
0,15 €
7,50 €
250 - 450
0,144 €
7,20 €
500 - 950
0,138 €
6,90 €
1000 +
0,115 €
5,75 €
*Prix donné à titre indicatif
.
Options de conditionnement :