Mémoire flash, 2Gbit, 256M x 8 bits, Parallèle, VFBGA, 63 broches

Densité : 2 Gbit (solution à puce unique)
Vcc : 1,7 à 1,95 V.
Largeur du bus : x8 x 16
Température d'utilisation
Applications industrielles : -40 à +85 °C
Industrial Plus : -40 à 105 °C.
Technologie SLC (Single-Level Cell).
Organisation
Densité : 2 Go/256 Mo
Taille de page
2 112 octets (2 048 + 64 octets)
1 056 mots (1 024 + 32 mots)
Taille de bloc
64 pages (128 K + 4 K octets)
64 pages (64 K + 2 K mots)
Hautes performances
Performances de lecture (max.)
Lecture aléatoire : 25 us
Cycle de lecture séquentiel : 25 ns
Performances d'effacement d'écriture
Durée du programme de page : 250 us (typ.)
Durée d'effacement de bloc : 2 ms (typ.)
Endurance 100 000 cycles d'effacement/de programme(1)
Conservation des données pendant 10 ans
Jeu de commandes
Commande NAND standard
Prise en charge de commandes supplémentaires
Copie arrière
Fonctionnement en deux plans
Contact Winbond pour OTP f
Contact Winbond pour bloc
Consommation électrique la plus faible
Lecture : 13 mA (typ.)
Programmation/effacement : 10 mA (typ.)
Veille CMOS : 10 uA (typ.)
Emballage à gain de place
TSOP1 standard à 48 broches
VFBGA 63 billes

Mémoire Flash NAND SLC de 2 Go avec taille de page uniforme de 2 ko + 64 B.

Largeur de bus : x8
Lecture aléatoire : 25 us
Durée du programme de page : 250 us (typ.)
Temps d'effacement de bloc : 2 ms (typ.)
Prise en charge de la zone de mémoire OTP